ROHM Dual N-Kanal, Enkelt MOSFET'er 150 V Forbedring, 8 Ben, HSOP-8, HP8KF7H
- RS-varenummer:
- 687-364
- Producentens varenummer:
- HP8KF7HTB1
- Brand:
- ROHM
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 bånd af 2 enheder)*
Kr. 22,22
(ekskl. moms)
Kr. 27,78
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 94 enhed(er) afsendes fra 23. juli 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr bånd* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 11,11 | Kr. 22,22 |
| 20 - 48 | Kr. 9,80 | Kr. 19,60 |
| 50 - 198 | Kr. 8,79 | Kr. 17,58 |
| 200 - 998 | Kr. 7,085 | Kr. 14,17 |
| 1000 + | Kr. 6,91 | Kr. 13,82 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 687-364
- Producentens varenummer:
- HP8KF7HTB1
- Brand:
- ROHM
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Produkttype | Enkelt MOSFET'er | |
| Kanaltype | Dual N | |
| Drain source spænding maks. Vds | 150V | |
| Emballagetype | HSOP-8 | |
| Serie | HP8KF7H | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 62mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 26W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 20nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 6.1mm | |
| Højde | 1.1mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Produkttype Enkelt MOSFET'er | ||
Kanaltype Dual N | ||
Drain source spænding maks. Vds 150V | ||
Emballagetype HSOP-8 | ||
Serie HP8KF7H | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 62mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 26W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 20nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 6.1mm | ||
Højde 1.1mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
ROHM N-kanals effekt-MOSFET er designet til effektivt at styre strømmen i forskellige elektroniske anvendelser. Med en lav ON-modstand på 62 mΩ og et kompakt HSOP8-hus sikrer denne MOSFET fremragende termisk styring og høj pålidelighed. Dens specifikationer understøtter en kontinuerlig afløbsstrøm på ±18,5 A, hvilket gør den velegnet til krævende opgaver som f.eks. motordrev. Med sin fremragende energieffektivitet og overholdelse af RoHS- og halogenfri standarder integreres den problemfrit i avancerede elektroniske design, samtidig med at den sikrer miljøvenligt ansvar.
Optimeret til lav modstand ved tænding, hvilket forbedrer den samlede effektivitet
Kompakt HSOP8-pakke giver mulighed for pladsbesparende design
Ideel til en lang række anvendelser, herunder motordrev
Opfylder RoHS- og halogenfri kravene til miljøsikkerhed
Høj kontinuerlig og pulserende afløbsstrømstyrke sikrer pålidelighed under belastning
Fremragende termisk styring med lav termisk modstand
Designet til højtydende koblingsanvendelser med minimal forsinkelse
Stabil drift over et bredt temperaturområde fra -55 til +150 °C
Relaterede links
- ROHM Type N-Kanal 8 Ben RS6G122CH
- ROHM Dual N-Kanal 8 Ben HT8KF6H
- ROHM Dual N-Kanal 16.5 A 40 V Forbedring HSOP-8, HP8KB5
- ROHM Dual N-Kanal 12 A 60 V Forbedring HSOP-8, HP8KC5
- ROHM Dual N-Kanal 8.5 A 100 V Forbedring HSOP-8, HP8KE5
- ROHM Dual N-Kanal 6.5 A 100 V Forbedring HSOP-8, HT8KE5H
- ROHM Type N-Kanal 300 A 40 V Forbedring HSOP-8, RSG120
- ROHM Dual N-Kanal 8 Ben HT8MD5HT