ROHM Type N-Kanal, Enkelt MOSFET'er -40 V Forbedring, 8 Ben, HSOP-8, RS6G122CH Nej RS6G122CHTB1
- RS-varenummer:
- 687-439
- Producentens varenummer:
- RS6G122CHTB1
- Brand:
- ROHM
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 bånd af 2 enheder)*
Kr. 18,11
(ekskl. moms)
Kr. 22,638
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 23. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr bånd* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 9,055 | Kr. 18,11 |
| 20 - 48 | Kr. 7,96 | Kr. 15,92 |
| 50 - 198 | Kr. 7,175 | Kr. 14,35 |
| 200 - 998 | Kr. 5,775 | Kr. 11,55 |
| 1000 + | Kr. 5,64 | Kr. 11,28 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 687-439
- Producentens varenummer:
- RS6G122CHTB1
- Brand:
- ROHM
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | Enkelt MOSFET'er | |
| Drain source spænding maks. Vds | -40V | |
| Emballagetype | HSOP-8 | |
| Serie | RS6G122CH | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.20mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 52nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 125W | |
| Portkildespænding maks. | ±20 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 3 mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Højde | 1mm | |
| Længde | 3mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype Enkelt MOSFET'er | ||
Drain source spænding maks. Vds -40V | ||
Emballagetype HSOP-8 | ||
Serie RS6G122CH | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.20mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 52nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 125W | ||
Portkildespænding maks. ±20 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 3 mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Højde 1mm | ||
Længde 3mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- JP
ROHM Power MOSFET er designet til at levere høj effektivitet i krævende anvendelser. Med en maksimal driftsspænding på 40 V og i stand til at håndtere en kontinuerlig drænstrøm på op til 225 A er den velegnet til brug i motordrev og DC/DC-omformere. Det robuste HSOP8-hus sikrer effektiv termisk styring med en lav termisk modstand, hvilket fremmer pålidelig ydeevne selv under høje belastningsforhold. Med streng RoHS-overholdelse er enheden velegnet til miljøvenlige design, mens den garanterer ensartet pålidelighed og sikkerhed i forskellige elektroniske anvendelser.
Lav modstand på 1,20 mΩ, hvilket forbedrer effektiviteten
Højtydende pakke (HSOP8) for effektiv varmeafledning
Blyfri belægning opfylder RoHS-standarderne for miljøsikkerhed
Halogenfri konstruktion sikrer overholdelse af sikkerhedsforskrifter
100 % Rg og UIS testet for pålidelighed under barske forhold
Designet til højtydende anvendelser med ekstreme strømkapaciteter
Avalanche-klassificeret til enkelte impulser op til 40 A, hvilket sikrer robusthed
Integrerede sikkerhedsfunktioner til potentielle fejl
Relaterede links
- ROHM N-Kanal 100 A 40 V, HSOP8 RS6G100BGTB1
- ROHM N-Kanal 300 A 40 V HSOP8, RSG120 RS6G120CHTB1
- ROHM N-Kanal 24 A 40 V HSOP8, HP8 HP8KB7TB1
- ROHM N-Kanal 210 A 40 V HSOP8, RS6 RS6G120BHTB1
- ROHM N-Kanal 210 A 40 V HSOP8, RS6 RS6G120BGTB1
- ROHM N-Kanal 24 A 40 V HSOP8, HP8 HP8KB6TB1
- ROHM N/P-Kanal-Kanal 16 8 ben HP8 HP8MB5TB1
- ROHM Dual N-Kanal 16 8 ben HP8KB5 HP8KB5TB1
