ROHM Type N-Kanal, Enkelt MOSFET'er -40 V Forbedring, 8 Ben, HSOP-8, RS6G122CH
- RS-varenummer:
- 687-439
- Producentens varenummer:
- RS6G122CHTB1
- Brand:
- ROHM
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 bånd af 2 enheder)*
Kr. 18,11
(ekskl. moms)
Kr. 22,638
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 100 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr bånd* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 9,055 | Kr. 18,11 |
| 20 - 48 | Kr. 7,96 | Kr. 15,92 |
| 50 - 198 | Kr. 7,175 | Kr. 14,35 |
| 200 - 998 | Kr. 5,775 | Kr. 11,55 |
| 1000 + | Kr. 5,64 | Kr. 11,28 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 687-439
- Producentens varenummer:
- RS6G122CHTB1
- Brand:
- ROHM
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Produkttype | Enkelt MOSFET'er | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain source spænding maks. Vds | -40V | |
| Serie | RS6G122CH | |
| Emballagetype | HSOP-8 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.20mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 125W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 52nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 1mm | |
| Længde | 3mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Produkttype Enkelt MOSFET'er | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain source spænding maks. Vds -40V | ||
Serie RS6G122CH | ||
Emballagetype HSOP-8 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.20mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 125W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 52nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 1mm | ||
Længde 3mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
ROHM Power MOSFET er designet til at levere høj effektivitet i krævende anvendelser. Med en maksimal driftsspænding på 40 V og i stand til at håndtere en kontinuerlig drænstrøm på op til 225 A er den velegnet til brug i motordrev og DC/DC-omformere. Det robuste HSOP8-hus sikrer effektiv termisk styring med en lav termisk modstand, hvilket fremmer pålidelig ydeevne selv under høje belastningsforhold. Med streng RoHS-overholdelse er enheden velegnet til miljøvenlige design, mens den garanterer ensartet pålidelighed og sikkerhed i forskellige elektroniske anvendelser.
Lav modstand på 1,20 mΩ, hvilket forbedrer effektiviteten
Højtydende pakke (HSOP8) for effektiv varmeafledning
Blyfri belægning opfylder RoHS-standarderne for miljøsikkerhed
Halogenfri konstruktion sikrer overholdelse af sikkerhedsforskrifter
100 % Rg og UIS testet for pålidelighed under barske forhold
Designet til højtydende anvendelser med ekstreme strømkapaciteter
Avalanche-klassificeret til enkelte impulser op til 40 A, hvilket sikrer robusthed
Integrerede sikkerhedsfunktioner til potentielle fejl
Relaterede links
- ROHM Dual N-Kanal 8 Ben HP8KF7H
- ROHM Type N-Kanal 300 A 40 V Forbedring HSOP-8, RSG120
- ROHM Dual N-Kanal 8 Ben HT8KF6H
- ROHM Dual N-Kanal 8 Ben HT8MD5HT
- ROHM Type N-Kanal 8 Ben RY7P250BM
- ROHM Type P Enkelt MOSFET'er 80 V Forbedring SOP-8, SH8MD5HT
- ROHM Type N Enkelt MOSFET'er 40 V Forbedring HSMT-8, HT8MB5
- ROHM Type P Enkelt MOSFET'er 60 V Forbedring HSMT-8, HT8MC5