ROHM Type N-Kanal, Enkelt MOSFET'er 100 V Forbedring, 8 Ben, DFN8080T8LSHAAI, RY7P250BM
- RS-varenummer:
- 687-343
- Producentens varenummer:
- RY7P250BMTBC
- Brand:
- ROHM
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 bånd af 2 enheder)*
Kr. 83,11
(ekskl. moms)
Kr. 103,888
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 18. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr bånd* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 41,555 | Kr. 83,11 |
| 20 - 98 | Kr. 36,565 | Kr. 73,13 |
| 100 - 198 | Kr. 32,85 | Kr. 65,70 |
| 200 + | Kr. 25,805 | Kr. 51,61 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 687-343
- Producentens varenummer:
- RY7P250BMTBC
- Brand:
- ROHM
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Produkttype | Enkelt MOSFET'er | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Serie | RY7P250BM | |
| Emballagetype | DFN8080T8LSHAAI | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.86mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | ±20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 340W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 240nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Højde | 0.8mm | |
| Bredde | 1.70 mm | |
| Længde | 1.7mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Produkttype Enkelt MOSFET'er | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Serie RY7P250BM | ||
Emballagetype DFN8080T8LSHAAI | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.86mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. ±20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 340W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 240nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Højde 0.8mm | ||
Bredde 1.70 mm | ||
Længde 1.7mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- JP
ROHM Power MOSFET er designet til krævende anvendelser, der kræver fremragende effektivitet og pålidelighed. Denne MOSFET er velegnet til brug i Hot Swap-kontrollere og andre strømswitching-anvendelser, hvor den lave modstand ved tænding på 1,86 mΩ sikrer minimalt energitab under drift. Denne komponent er RoHS og halogenfri, hvilket gør den til et sikkert valg til miljøbevidste design. Med avancerede funktioner som f.eks. 100 % Rg og UIS-test garanterer den robust ydeevne under varierende forhold, hvilket gør den velegnet til elektroniske kredsløb med høj ydeevne og høj pålidelighed.
Lav modstand ved tænding for øget effektivitet
Wide-SOA-egenskaber for overlegen pålidelighed
Designet til at håndtere kontinuerlige afløbsstrømme op til 250 A
Høj pulse-drain-strømkapacitet ved ±900 A
Fremragende termisk styring med termisk modstand på 0,44 °C/W
Velegnet til et bredt driftstemperaturområde på -55 til +175 °C
I overensstemmelse med RoHS og halogenfri standarder.
Relaterede links
- ROHM Type N-Kanal 8 Ben RH7G04CBKFRA AEC-Q101 RH7G04CBKFRATCB
- ROHM Dual N-Kanal 8 Ben HT8KF6H Nej HT8KF6HTB1
- ROHM Type N-Kanal 6 Ben RF9P120BKFRA AEC-Q101 RF9P120BKFRATCR
- ROHM Type N-Kanal 3 Ben R8019KNZ4 Nej R8019KNZ4C13
- ROHM Dual N-Kanal 8 Ben HT8MD5HT Nej HT8MD5HTB1
- ROHM Type N-Kanal 22 Ben AW2K21 Nej AW2K21AR
- ROHM Type N-Kanal 3 Ben R2P AEC-Q101 R2P020N06HZGT100
- ROHM Dual N-Kanal 8 Ben HP8KF7H Nej HP8KF7HTB1
