ROHM Type N-Kanal, Enkelt MOSFET'er 100 V Forbedring, 8 Ben, DFN8080T8LSHAAI, RY7P250BM

Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 bånd af 2 enheder)*

Kr. 83,11

(ekskl. moms)

Kr. 103,888

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 18. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr bånd*
2 - 18Kr. 41,555Kr. 83,11
20 - 98Kr. 36,565Kr. 73,13
100 - 198Kr. 32,85Kr. 65,70
200 +Kr. 25,805Kr. 51,61

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
687-343
Producentens varenummer:
RY7P250BMTBC
Brand:
ROHM
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

ROHM

Produkttype

Enkelt MOSFET'er

Kanaltype

Type N

Drain source spænding maks. Vds

100V

Serie

RY7P250BM

Emballagetype

DFN8080T8LSHAAI

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

1.86mΩ

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

±20 V

Effektafsættelse maks. Pd

340W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

240nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Højde

0.8mm

Bredde

1.70 mm

Længde

1.7mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
JP
ROHM Power MOSFET er designet til krævende anvendelser, der kræver fremragende effektivitet og pålidelighed. Denne MOSFET er velegnet til brug i Hot Swap-kontrollere og andre strømswitching-anvendelser, hvor den lave modstand ved tænding på 1,86 mΩ sikrer minimalt energitab under drift. Denne komponent er RoHS og halogenfri, hvilket gør den til et sikkert valg til miljøbevidste design. Med avancerede funktioner som f.eks. 100 % Rg og UIS-test garanterer den robust ydeevne under varierende forhold, hvilket gør den velegnet til elektroniske kredsløb med høj ydeevne og høj pålidelighed.

Lav modstand ved tænding for øget effektivitet

Wide-SOA-egenskaber for overlegen pålidelighed

Designet til at håndtere kontinuerlige afløbsstrømme op til 250 A

Høj pulse-drain-strømkapacitet ved ±900 A

Fremragende termisk styring med termisk modstand på 0,44 °C/W

Velegnet til et bredt driftstemperaturområde på -55 til +175 °C

I overensstemmelse med RoHS og halogenfri standarder.

Relaterede links