ROHM Type N-Kanal, Enkelt MOSFET'er 30 V Forbedring, 22 Ben, WLCSP-2020, AW2K21
- RS-varenummer:
- 687-361
- Producentens varenummer:
- AW2K21AR
- Brand:
- ROHM
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 bånd af 2 enheder)*
Kr. 20,21
(ekskl. moms)
Kr. 25,262
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 28. september 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr bånd* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 10,105 | Kr. 20,21 |
| 20 - 48 | Kr. 8,925 | Kr. 17,85 |
| 50 - 198 | Kr. 8,005 | Kr. 16,01 |
| 200 - 998 | Kr. 6,475 | Kr. 12,95 |
| 1000 + | Kr. 6,30 | Kr. 12,60 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 687-361
- Producentens varenummer:
- AW2K21AR
- Brand:
- ROHM
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Produkttype | Enkelt MOSFET'er | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Emballagetype | WLCSP-2020 | |
| Serie | AW2K21 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 22 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 4.0mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 1.6W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 29nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 2cm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Højde | 0.5cm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Produkttype Enkelt MOSFET'er | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Emballagetype WLCSP-2020 | ||
Serie AW2K21 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 22 | ||
Drain source modstand maks. Rds 4.0mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 1.6W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 29nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 2cm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Højde 0.5cm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- JP
ROHM Power MOSFET er designet til optimal ydeevne i højeffektive anvendelser. Denne Nch common source MOSFET understøtter en maksimal drain-til-source-spænding på 30 V og en kontinuerlig drain-strøm på ±20 A, hvilket gør den til et ideelt valg til belastningsswitching og beskyttelsesfunktioner. Denne enhed er også i overensstemmelse med RoHS-standarderne, hvilket bidrager til miljøvenlige designpraksisser i moderne elektronik.
Lav modstand på 4,0 mΩ maksimerer effektiviteten
Høj effektkapacitet med en effekttabskapacitet på 1,6 W
Optimeret til små pakkeformål med et WLCSP-design
Blyfri blybelægning forbedrer loddeevnen og miljøvenligheden
Bagsidebelægning reducerer risikoen for korrosion og forbedrer holdbarheden
Bredt driftstemperaturområde fra -55 °C til +150 °C sikrer pålidelighed under forskellige forhold
Omfatter ESD-beskyttelsesfunktioner til beskyttelse mod statisk udladning