ROHM Dual N-Kanal, MOSFET, 8.5 A 100 V Forbedring, 8 Ben, HSOP-8, HP8KE5
- RS-varenummer:
- 331-686
- Producentens varenummer:
- HP8KE5TB1
- Brand:
- ROHM
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 bånd af 10 enheder)*
Kr. 48,62
(ekskl. moms)
Kr. 60,78
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 100 enhed(er) afsendes fra 19. februar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr bånd* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | Kr. 4,862 | Kr. 48,62 |
| 100 - 240 | Kr. 4,623 | Kr. 46,23 |
| 250 - 490 | Kr. 4,279 | Kr. 42,79 |
| 500 - 990 | Kr. 3,942 | Kr. 39,42 |
| 1000 + | Kr. 3,785 | Kr. 37,85 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 331-686
- Producentens varenummer:
- HP8KE5TB1
- Brand:
- ROHM
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Dual N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 8.5A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Emballagetype | HSOP-8 | |
| Serie | HP8KE5 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 193mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 20W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 2.9nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Dual N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 8.5A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Emballagetype HSOP-8 | ||
Serie HP8KE5 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 193mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 20W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 2.9nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
ROHM Power MOSFET er en MOSFET med lav on-modstand, der er ideel til switching og motordrevne applikationer. Denne power-MOSFET kommer i en lille overflademonteret pakke.
Pb-fri belægning
RoHS-overensstemmende
Halogenfri
100 procent Rg og UIS-testet
Relaterede links
- ROHM Dual N-Kanal 12 A 60 V Forbedring HSOP-8, HP8KC5
- ROHM Dual N-Kanal 6.5 A 100 V Forbedring HSOP-8, HT8KE5H
- ROHM Dual N-Kanal 16.5 A 40 V Forbedring HSOP-8, HP8KB5
- ROHM Dual N-Kanal 8 Ben HP8KF7H
- ROHM 2 Type N-Kanal 8 Ben HP8
- ROHM Type P-Kanal 43 A 80 V Forbedring HSOP-8, RS1
- ROHM Type P-Kanal 18 A 80 V Forbedring HSOP-8, RQ3N060AT
- ROHM Type N-Kanal 135 A 80 V Forbedring HSOP-8, RS6
