ROHM Dual N-Kanal, MOSFET, 6.5 A 100 V Forbedring, 8 Ben, HSOP-8, HT8KE5H Nej HT8KE5HTB1
- RS-varenummer:
- 331-687
- Producentens varenummer:
- HT8KE5HTB1
- Brand:
- ROHM
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 bånd af 10 enheder)*
Kr. 42,71
(ekskl. moms)
Kr. 53,39
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 100 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr bånd* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | Kr. 4,271 | Kr. 42,71 |
| 100 - 240 | Kr. 4,054 | Kr. 40,54 |
| 250 - 490 | Kr. 3,762 | Kr. 37,62 |
| 500 - 990 | Kr. 3,456 | Kr. 34,56 |
| 1000 + | Kr. 3,329 | Kr. 33,29 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 331-687
- Producentens varenummer:
- HT8KE5HTB1
- Brand:
- ROHM
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Kanaltype | Dual N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 6.5A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Serie | HT8KE5H | |
| Emballagetype | HSOP-8 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 210mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 13W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 3.7nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Kanaltype Dual N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 6.5A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Serie HT8KE5H | ||
Emballagetype HSOP-8 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 210mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 13W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 3.7nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
ROHM Power MOSFET er en MOSFET med lav on-modstand, der er ideel til switching og motordrevne applikationer. Denne power-MOSFET kommer i en lille højtydende pakke.
Pb-fri belægning
RoHS-overensstemmende
Halogenfri
100 procent Rg og UIS-testet
Relaterede links
- ROHM Dual N-Kanal 8 8 ben HP8KE5 HP8KE5TB1
- ROHM Dual N-Kanal 16 8 ben HP8KB5 HP8KB5TB1
- ROHM Dual N-Kanal 18 8 ben HP8KF7H HP8KF7HTB1
- ROHM Dual N-Kanal 12 A 60 V HSOP8, HP8KC5 HP8KC5TB1
- ROHM N-Kanal 60 A 100 V, HSOP8 RS6P060BHTB1
- ROHM N-Kanal 100 A 40 V, HSOP8 RS6G100BGTB1
- ROHM N-Kanal 35 A 150 V, HSOP8 RS6R035BHTB1
- ROHM N-Kanal 90 A 60 V, HSOP8 RS6L090BGTB1
