ROHM Dual N-Kanal, MOSFET, 12 A 60 V Forbedring, 8 Ben, HSOP-8, HP8KC5 Nej HP8KC5TB1

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 bånd af 10 enheder)*

Kr. 47,50

(ekskl. moms)

Kr. 59,40

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 100 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr bånd*
10 - 90Kr. 4,75Kr. 47,50
100 - 240Kr. 4,518Kr. 45,18
250 - 490Kr. 4,181Kr. 41,81
500 - 990Kr. 3,845Kr. 38,45
1000 +Kr. 3,71Kr. 37,10

*Vejledende pris

RS-varenummer:
331-684
Producentens varenummer:
HP8KC5TB1
Brand:
ROHM
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

ROHM

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Dual N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

12A

Drain source spænding maks. Vds

60V

Emballagetype

HSOP-8

Serie

HP8KC5

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

139mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

20W

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

20 V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

3.1nC

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

Pb-Free Plating, RoHS

Bilindustristandarder

Nej

ROHM Power MOSFET er en MOSFET med lav on-modstand, der er ideel til switching og motordrevne applikationer. Denne power-MOSFET kommer i en lille overflademonteret pakke.

Pb-fri belægning

RoHS-overensstemmende

Halogenfri

100 procent Rg og UIS-testet

Relaterede links