ROHM Type N-Kanal, Enkelt MOSFET'er 100 V Forbedring, 8 Ben, HSMT-8AG, RQ3P120BKFRA AEC-Q101 RQ3P120BKFRATCB
- RS-varenummer:
- 687-380
- Producentens varenummer:
- RQ3P120BKFRATCB
- Brand:
- ROHM
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 bånd af 2 enheder)*
Kr. 26,55
(ekskl. moms)
Kr. 33,188
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 22. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr bånd* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 13,275 | Kr. 26,55 |
| 20 - 48 | Kr. 11,67 | Kr. 23,34 |
| 50 - 198 | Kr. 10,545 | Kr. 21,09 |
| 200 - 998 | Kr. 8,45 | Kr. 16,90 |
| 1000 + | Kr. 8,305 | Kr. 16,61 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 687-380
- Producentens varenummer:
- RQ3P120BKFRATCB
- Brand:
- ROHM
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Produkttype | Enkelt MOSFET'er | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Emballagetype | HSMT-8AG | |
| Serie | RQ3P120BKFRA | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 58mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 40W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 6.9nC | |
| Portkildespænding maks. | ±20 V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 3.30mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Højde | 0.9mm | |
| Bredde | 300 mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Produkttype Enkelt MOSFET'er | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Emballagetype HSMT-8AG | ||
Serie RQ3P120BKFRA | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 58mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 40W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 6.9nC | ||
Portkildespænding maks. ±20 V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 3.30mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Højde 0.9mm | ||
Bredde 300 mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- JP
ROHM N-kanals effekt-MOSFET er designet til effektiv energistyring i forskellige anvendelser. Denne MOSFET kan modstå drain-source-spændinger på op til 100 V og kontinuerlig mærkestrøm på ±12 A og udmærker sig i både effekttæthed og termisk modstand. Det kompakte HSMT8AG-hus reducerer pladskravene til printkort betydeligt med 64 %, hvilket gør det til et ideelt valg til moderne elektroniske design, der kræver pålidelighed og effektivitet. Med AEC-Q101-kvalificeringen sikrer den robust drift i biler og tjener en bred vifte af anvendelser fra ADAS til belysningsløsninger.
Lille pakke med høj effekt optimerer pladsen på printkort med 64 %
Høj monteringspålidelighed opnås gennem innovative terminaler og platingbehandlinger
AEC Q101-kvalifikation sikrer pålidelighed i biler
Designet til at håndtere et maksimalt effekttab på 40 W for effektiv termisk styring
Lav modstand i tændt tilstand på 58 mΩ forbedrer effektivitet og ydeevne
Robust gate-source-spændingstolerance på ±20 V udvider integrationsmulighederne
Avalanche-klassificering på 8 A og energitab på 5,2 mJ giver ekstra beskyttelse under drift
Meget pålidelig drift over et temperaturområde på -55 til +150 °C
Relaterede links
- ROHM P-Kanal 27 A 60 V HSMT8AG, RQ3L270 RQ3L270BJFRATCB
- ROHM P-Kanal 27 A 60 V Depletion HSMT8AG, RQ3L270BLFRA RQ3L270BLFRATCB
- ROHM P-Kanal 27 A 60 V Depletion HSMT8AG, RQ3L270BKFRA RQ3L270BKFRATCB
- ROHM P-Kanal 27 A 40 V Depletion HSMT8AG, RQ3G270BKFRA RQ3G270BKFRATCB
- ROHM N-Kanal 100 A 100 V, HSOP8S RS6P100BHTB1
- ROHM N-Kanal 4 SOP8 SH8KE6TB1
- ROHM N-Kanal 40 A 100 V, HSMT8 RH6P040BHTB1
- ROHM N-Kanal 60 A 100 V, HSOP8 RS6P060BHTB1