ROHM 1 Type P-Kanal, MOSFET, 15 A 40 V Udtømning, 8 Ben, HSMT-8, HT8KB6 Nej HT8KB6TB1

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 bånd af 10 enheder)*

Kr. 52,73

(ekskl. moms)

Kr. 65,91

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 100 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr bånd*
10 - 90Kr. 5,273Kr. 52,73
100 - 240Kr. 5,012Kr. 50,12
250 - 490Kr. 4,638Kr. 46,38
500 - 990Kr. 4,271Kr. 42,71
1000 +Kr. 4,114Kr. 41,14

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
265-123
Producentens varenummer:
HT8KB6TB1
Brand:
ROHM
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

ROHM

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type P

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

15A

Drain source spænding maks. Vds

40V

Emballagetype

HSMT-8

Serie

HT8KB6

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

17.2mΩ

Kanalform

Udtømning

Effektafsættelse maks. Pd

14W

Portkildespænding maks.

±20 V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

10.6nC

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Antal elementer per chip

1

Bilindustristandarder

Nej

ROHM MOSFET er designet til krævende applikationer, der kræver exceptionel effektivitet og pålidelighed. Produktets robuste design med lav on-modstand og høj effektkapacitet gør det til et ideelt valg til motordrev og andre strømstyringsbehov. Den skiller sig ud med sin kompakte HSMT8-emballage, der sikrer nem integration i forskellige elektroniske systemer.

Halogenfrit design understøtter overholdelse af globale miljøstandarder

Garanteret 100 % Rg- og UIS-test for øget pålidelighed

Bredt temperaturområde for driftsforbindelsen giver mulighed for alsidige anvendelser

Høj pulsstrømskapacitet understøtter krævende driftsprofiler

Relaterede links