ROHM Type P-Kanal, MOSFET, 65 A 80 V Udtømning, 8 Ben, HSMT-8, RH
- RS-varenummer:
- 265-155
- Producentens varenummer:
- RH6N040BHTB1
- Brand:
- ROHM
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 bånd af 5 enheder)*
Kr. 32,54
(ekskl. moms)
Kr. 40,675
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 95 enhed(er) afsendes fra 22. april 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr bånd* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 6,508 | Kr. 32,54 |
| 50 - 95 | Kr. 6,178 | Kr. 30,89 |
| 100 - 495 | Kr. 5,73 | Kr. 28,65 |
| 500 - 995 | Kr. 5,28 | Kr. 26,40 |
| 1000 + | Kr. 5,086 | Kr. 25,43 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 265-155
- Producentens varenummer:
- RH6N040BHTB1
- Brand:
- ROHM
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 65A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 80V | |
| Serie | RH | |
| Emballagetype | HSMT-8 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 8.3mΩ | |
| Kanalform | Udtømning | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 59W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 23nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 65A | ||
Drain source spænding maks. Vds 80V | ||
Serie RH | ||
Emballagetype HSMT-8 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 8.3mΩ | ||
Kanalform Udtømning | ||
Effektafsættelse maks. Pd 59W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 23nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
ROHM MOSFET er en banebrydende halvleder, der er designet til at levere enestående ydeevne og pålidelighed til forskellige anvendelser. Denne komponent har en lille form med høj effekt, der optimerer pladsen uden at gå på kompromis med funktionaliteten. Med en lav on-modstand sikrer den effektiv strømstyring, hvilket gør den perfekt til brug i motordrev og DC/DC-omformere.
Høj effektkapacitet til krævende anvendelser
Testet for robuste gate charge-egenskaber, der forbedrer switching-ydelsen
Ideel til forskellige anvendelser, herunder motordrev
Omfattende maksimale værdier giver tillid til driftsgrænser
Relaterede links
- ROHM 1 Type P-Kanal 15 A 40 V Udtømning HSMT-8, HT8KB6
- ROHM Type P-Kanal 27 A 40 V Udtømning HSMT-8AG, RQ3G270BKFRA AEC-Q101
- ROHM Type P-Kanal 27 A 60 V Udtømning HSMT-8AG, RQ3L270BLFRA AEC-Q101
- ROHM Type P-Kanal 27 A 60 V Udtømning HSMT-8AG, RQ3L270BKFRA AEC-Q101
- ROHM 1 Type N-Kanal 65 A 60 V Forbedring HSMT-8, RH6
- ROHM Type P-Kanal 27 A 40 V Forbedring HSMT-8, RQ3 AEC-Q101
- ROHM Type P-Kanal 12 A 60 V Forbedring HSMT-8, RQ3 AEC-Q101
- ROHM Type P-Kanal 12 A 40 V Forbedring HSMT-8, RQ3 AEC-Q101
