ROHM Type P-Kanal, MOSFET, 65 A 80 V Udtømning, 8 Ben, HSMT-8, RH Nej RH6N040BHTB1
- RS-varenummer:
- 265-155
- Producentens varenummer:
- RH6N040BHTB1
- Brand:
- ROHM
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 bånd af 5 enheder)*
Kr. 32,54
(ekskl. moms)
Kr. 40,675
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 95 enhed(er) afsendes fra 07. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr bånd* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 6,508 | Kr. 32,54 |
| 50 - 95 | Kr. 6,178 | Kr. 30,89 |
| 100 - 495 | Kr. 5,73 | Kr. 28,65 |
| 500 - 995 | Kr. 5,28 | Kr. 26,40 |
| 1000 + | Kr. 5,086 | Kr. 25,43 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 265-155
- Producentens varenummer:
- RH6N040BHTB1
- Brand:
- ROHM
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 65A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 80V | |
| Serie | RH | |
| Emballagetype | HSMT-8 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 8.3mΩ | |
| Kanalform | Udtømning | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 59W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 23nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 65A | ||
Drain source spænding maks. Vds 80V | ||
Serie RH | ||
Emballagetype HSMT-8 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 8.3mΩ | ||
Kanalform Udtømning | ||
Effektafsættelse maks. Pd 59W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 23nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
ROHM MOSFET er en banebrydende halvleder, der er designet til at levere enestående ydeevne og pålidelighed til forskellige anvendelser. Denne komponent har en lille form med høj effekt, der optimerer pladsen uden at gå på kompromis med funktionaliteten. Med en lav on-modstand sikrer den effektiv strømstyring, hvilket gør den perfekt til brug i motordrev og DC/DC-omformere.
Høj effektkapacitet til krævende anvendelser
Testet for robuste gate charge-egenskaber, der forbedrer switching-ydelsen
Ideel til forskellige anvendelser, herunder motordrev
Omfattende maksimale værdier giver tillid til driftsgrænser
Relaterede links
- ROHM 1 Type P-Kanal 15 A 40 V Udtømning HSMT-8, HT8KB6 Nej HT8KB6TB1
- ROHM Type P-Kanal 27 A 60 V Udtømning HSMT-8AG, RQ3L270BLFRA AEC-Q101 RQ3L270BLFRATCB
- ROHM Type P-Kanal 27 A 40 V Udtømning HSMT-8AG, RQ3G270BKFRA AEC-Q101 RQ3G270BKFRATCB
- ROHM Type P-Kanal 27 A 60 V Udtømning HSMT-8AG, RQ3L270BKFRA AEC-Q101 RQ3L270BKFRATCB
- ROHM 1 Type N-Kanal 65 A 60 V Forbedring HSMT-8, RH6 RH6L040BGTB1
- ROHM 10 A 80 V HSMT-8, RQ3N Nej RQ3N040ATTB1
- ROHM Dual N-Kanal 8 Ben HT8MD5HT Nej HT8MD5HTB1
- ROHM Type P-Kanal 12 A 40 V Forbedring HSMT-8, RQ3 AEC-Q101 RQ3G120BJFRATCB
