Infineon N-Kanal, MOSFET, 381 A 40 V Forbedring, 8 Ben, PG-WSON-8, OptiMOS
- RS-varenummer:
- 284-635
- Producentens varenummer:
- BSC007N04LS6SCATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 26,78
(ekskl. moms)
Kr. 33,48
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 15. oktober 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 13,39 | Kr. 26,78 |
| 20 - 198 | Kr. 12,045 | Kr. 24,09 |
| 200 - 998 | Kr. 11,07 | Kr. 22,14 |
| 1000 - 1998 | Kr. 10,32 | Kr. 20,64 |
| 2000 + | Kr. 9,20 | Kr. 18,40 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 284-635
- Producentens varenummer:
- BSC007N04LS6SCATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 381A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Emballagetype | PG-WSON-8 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.7mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 188W | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS Compliant | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 381A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Serie OptiMOS | ||
Emballagetype PG-WSON-8 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.7mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 188W | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS Compliant | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- AT
Infineon MOSFET er en effekttransistor til højtydende applikationer, der kræver robust effektivitet og pålidelighed. Med sin dobbeltsidede kølede emballage har den den laveste samling til TOP termisk modstandsdygtighed, hvilket muliggør fremragende varmeafledning. N-kanaldesignet sikrer optimal ydeevne i synkrone anvendelser, hvilket gør den til et ideelt valg til moderne strømstyringssystemer. Med en Pb-fri blybelægning og RoHS-overensstemmelse. Derudover sikrer dens høje lavineklassificering stabilitet under krævende forhold, mens den nominelle driftstemperatur på op til 175 °C forbedrer dens anvendelighed i forskellige miljøer.
Sømløs integration til synkrone applikationer
Opfylder JEDEC-standarder for industriel brug
Avanceret termisk styring forbedrer udholdenheden
Enestående modstandsdygtighed for effektivitet
Håndterer høj lavinenergi pålideligt
Understøtter halogenfrit og miljøbevidst design
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 381 A 40 V Forbedring PG-WSON-8, OptiMOS
- Infineon N-Kanal 171 A 100 V Forbedring PG-WSON-8, OptiMOS
- Infineon N-Kanal 89 A 150 V Forbedring PG-WSON-8, OptiMOS
- Infineon N-Kanal 144 A 80 V Forbedring PG-WSON-8, OptiMOS
- Infineon N-Kanal 77 A 150 V Forbedring PG-WSON-8, OptiMOS
- Infineon N-Kanal 56 A 150 V Forbedring PG-WSON-8, OptiMOS
- Infineon N-Kanal 381 A 40 V Forbedring TDSON, OptiMOS™
- Infineon N-Kanal 99 A 80 V Forbedring PG-WHSON-8, OptiMOS