Infineon N-Kanal, MOSFET, 171 A 100 V Forbedring, 8 Ben, PG-WSON-8, OptiMOS
- RS-varenummer:
- 284-640
- Producentens varenummer:
- BSC030N10NS5SCATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 70,54
(ekskl. moms)
Kr. 88,18
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 18. oktober 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 35,27 | Kr. 70,54 |
| 20 - 198 | Kr. 31,715 | Kr. 63,43 |
| 200 - 998 | Kr. 29,245 | Kr. 58,49 |
| 1000 - 1998 | Kr. 27,15 | Kr. 54,30 |
| 2000 + | Kr. 24,275 | Kr. 48,55 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 284-640
- Producentens varenummer:
- BSC030N10NS5SCATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 171A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Emballagetype | PG-WSON-8 | |
| Serie | OptiMOS | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 188W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS Compliant | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 171A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Emballagetype PG-WSON-8 | ||
Serie OptiMOS | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 188W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS Compliant | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- AT
Infineon OptiMOS Power MOSFET er designet til at levere en enestående ydelse i krævende applikationer. Som en del af OptiMOS 5-serien kombinerer den banebrydende teknologi med robuste funktioner for at opfylde behovene i industrielle applikationer. Med en betydelig drain source-nedbrydningsspænding på 100 V og betydelig lavinekapacitet garanterer denne komponent robust drift i situationer med høj belastning. Produktets innovative design strømliner varmeafledningen og bevarer ydeevnen selv under store belastninger, hvilket betyder øget levetid og pålidelighed i dine kredsløb.
Dobbelt sidekøling optimerer varmefordelingen
175°C-klassificering til udfordrende miljøer
N-kanalkonfiguration øger fleksibiliteten
Overlegen termisk modstand maksimerer effektiviteten
100% lavinetestet for pålidelighed
Pb-fri plettering er i overensstemmelse med RoHS
Halogenfri konstruktion for miljøvenlighed
Kvalificeret i henhold til JEDEC-standarder for industrien
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 171 A 100 V Forbedring PG-WSON-8, OptiMOS
- Infineon N-Kanal 381 A 40 V Forbedring PG-WSON-8, OptiMOS
- Infineon N-Kanal 89 A 150 V Forbedring PG-WSON-8, OptiMOS
- Infineon N-Kanal 144 A 80 V Forbedring PG-WSON-8, OptiMOS
- Infineon N-Kanal 77 A 150 V Forbedring PG-WSON-8, OptiMOS
- Infineon N-Kanal 56 A 150 V Forbedring PG-WSON-8, OptiMOS
- Infineon N-Kanal 99 A 80 V Forbedring PG-WHSON-8, OptiMOS
- Infineon N-Kanal 151 A 60 V Forbedring PG-WHSON-8, OptiMOS