Infineon N-Kanal, MOSFET, 56 A 150 V Forbedring, 8 Ben, PG-WSON-8, OptiMOS
- RS-varenummer:
- 284-650
- Producentens varenummer:
- BSC160N15NS5SCATMA1
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 rulle af 4000 enheder)*
Kr. 37.700,00
(ekskl. moms)
Kr. 47.124,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 18. oktober 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 4000 + | Kr. 9,425 | Kr. 37.700,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 284-650
- Producentens varenummer:
- BSC160N15NS5SCATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 56A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 150V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Emballagetype | PG-WSON-8 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 16mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 115W | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS Compliant | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 56A | ||
Drain source spænding maks. Vds 150V | ||
Serie OptiMOS | ||
Emballagetype PG-WSON-8 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 16mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 115W | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS Compliant | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon OptiMOS Power MOSFET er konstrueret til at levere en enestående ydeevne i højfrekvente switching-applikationer. Med en robust 150V-klassificering fungerer den som en pålidelig løsning til industri- og bilelektronik. Den dobbeltsidekølede PG WSON 8-pakke sikrer minimal termisk modstand, hvilket giver mulighed for effektiv varmeafledning, selv under kraftig belastning. Denne MOSFET er designet til N-kanals drift og udmærker sig ved synkron ensretning, hvilket gør den velegnet til strømstyringsopgaver, hvor effektivitet og pålidelighed er af afgørende betydning. Producenter kan stole på, at denne komponent opfylder strenge krav, hvilket giver effektiv og stabil ydeevne i krævende miljøer.
Optimeret til højfrekvent drift
Dobbelt sidekøling sænker den termiske modstand
Pb-fri blybelægning til overholdelse af RoHS
Fremragende gate-ladning øger effektiviteten
Ideel til applikationer med synkron ensretning
Fungerer ved høje temperaturer uden effektivitetstab
Kvalificeret til JEDEC-standarder for industrien
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 56 A 150 V Forbedring PG-WSON-8, OptiMOS
- Infineon N-Kanal 381 A 40 V Forbedring PG-WSON-8, OptiMOS
- Infineon N-Kanal 171 A 100 V Forbedring PG-WSON-8, OptiMOS
- Infineon N-Kanal 89 A 150 V Forbedring PG-WSON-8, OptiMOS
- Infineon N-Kanal 144 A 80 V Forbedring PG-WSON-8, OptiMOS
- Infineon N-Kanal 77 A 150 V Forbedring PG-WSON-8, OptiMOS
- Infineon N-Kanal 99 A 80 V Forbedring PG-WHSON-8, OptiMOS
- Infineon N-Kanal 151 A 60 V Forbedring PG-WHSON-8, OptiMOS