Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 56 A 150 V Forbedring, 8 Ben, PG-WSON-8, OptiMOS
- RS-varenummer:
- 284-651
- Producentens varenummer:
- BSC160N15NS5SCATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 85,72
(ekskl. moms)
Kr. 107,15
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 07. september 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 17,144 | Kr. 85,72 |
| 50 - 95 | Kr. 16,276 | Kr. 81,38 |
| 100 - 495 | Kr. 15,08 | Kr. 75,40 |
| 500 - 995 | Kr. 13,882 | Kr. 69,41 |
| 1000 + | Kr. 13,36 | Kr. 66,80 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 284-651
- Producentens varenummer:
- BSC160N15NS5SCATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 56A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 150V | |
| Emballagetype | PG-WSON-8 | |
| Serie | OptiMOS | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 16mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 115W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS Compliant | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 56A | ||
Drain source spænding maks. Vds 150V | ||
Emballagetype PG-WSON-8 | ||
Serie OptiMOS | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 16mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 115W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS Compliant | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon OptiMOS Power MOSFET er konstrueret til at levere en enestående ydeevne i højfrekvente switching-applikationer. Med en robust 150V-klassificering fungerer den som en pålidelig løsning til industri- og bilelektronik. Den dobbeltsidekølede PG WSON 8-pakke sikrer minimal termisk modstand, hvilket giver mulighed for effektiv varmeafledning, selv under kraftig belastning. Denne MOSFET er designet til N-kanals drift og udmærker sig ved synkron ensretning, hvilket gør den velegnet til strømstyringsopgaver, hvor effektivitet og pålidelighed er af afgørende betydning. Producenter kan stole på, at denne komponent opfylder strenge krav, hvilket giver effektiv og stabil ydeevne i krævende miljøer.
Optimeret til højfrekvent drift
Dobbelt sidekøling sænker den termiske modstand
Pb-fri blybelægning til overholdelse af RoHS
Fremragende gate-ladning øger effektiviteten
Ideel til applikationer med synkron ensretning
Fungerer ved høje temperaturer uden effektivitetstab
Kvalificeret til JEDEC-standarder for industrien
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 56 A 150 V Forbedring PG-WSON-8, OptiMOS
- Infineon Type N-Kanal 381 A 40 V Forbedring PG-WSON-8, OptiMOS
- Infineon Type N-Kanal 171 A 100 V Forbedring PG-WSON-8, OptiMOS
- Infineon Type N-Kanal 77 A 150 V Forbedring PG-WSON-8, OptiMOS
- Infineon Type N-Kanal 144 A 80 V Forbedring PG-WSON-8, OptiMOS
- Infineon Type N-Kanal 89 A 150 V Forbedring PG-WSON-8, OptiMOS
- Infineon Type P-Kanal 14.9 A -30 V Forbedring PG-DSO-8, OptiMOS
- Infineon Type N-Kanal 331 A 120 V Forbedring PG-HSOF-8, OptiMOS