Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 151 A 60 V Forbedring, 8 Ben, PG-WHSON-8, OptiMOS Nej IQE022N06LM5SCATMA1
- RS-varenummer:
- 284-754
- Producentens varenummer:
- IQE022N06LM5SCATMA1
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 rulle af 6000 enheder)*
Kr. 74.538,00
(ekskl. moms)
Kr. 93.174,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 03. april 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 6000 + | Kr. 12,423 | Kr. 74.538,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 284-754
- Producentens varenummer:
- IQE022N06LM5SCATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 151A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Emballagetype | PG-WHSON-8 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 2.2mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 26nC | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 100W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS, JEDEC, IEC61249-2-21 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 151A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Serie OptiMOS | ||
Emballagetype PG-WHSON-8 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 2.2mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 26nC | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 100W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS, JEDEC, IEC61249-2-21 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon MOSFET har en OptiMOS 5 effekttransistor og er en meget effektiv MOSFET, der er designet til at opfylde kravene til avancerede strømstyringsanvendelser. Med en effektafledningskapacitet, der gør det muligt at arbejde pålideligt under intense forhold, sikrer denne effekttransistor optimal effektivitet og varmestyring. Dens Pb-fri og RoHS-kompatible konstruktion understøtter dens anvendelighed i miljøfølsomme applikationer, samtidig med at den er halogenfri, hvilket forbedrer dens tilpasningsevne på tværs af forskellige sektorer. Den er fuldt kvalificeret i henhold til JEDEC-standarderne for industrielle anvendelser og er en pålidelig komponent for ingeniører, der søger pålidelige, højtydende løsninger.
Optimeret til strømstyring
Understøtter synkron ensretning i SMPS
N-kanal med logisk niveau-kompatibilitet
Meget lav modstand for termisk ydeevne
Overlegen termisk modstand for pålidelighed
100 % lavinetestet for at sikre driften
Overholder miljøbestemmelserne
Omfattende validering til industriel brug
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 151 A 60 V PG-WHSON-8, OptiMOS IQE022N06LM5SCATMA1
- Infineon N-Kanal 132 A 60 V PG-WHSON-8, OptiMOS IQE030N06NM5SCATMA1
- Infineon N-Kanal 445 A 60 V PG-WHSON-8, OptiMOS 5 IQD009N06NM5SCATMA1
- Infineon N-Kanal 447 A 60 V PG-WHSON-8, OptiMOS 5 IQDH88N06LM5SCATMA1
- Infineon N-Kanal 151 A 60 V PG-TSON-8, OptiMOS IQE022N06LM5ATMA1
- Infineon N-Kanal 151 A 150 V PG-WHSON-8, IQD0 IQD063N15NM5SCATMA1
- Infineon N-Kanal 99 A 80 V PG-WHSON-8, OptiMOS IQE050N08NM5SCATMA1
- Infineon N-Kanal 85 A 100 V PG-WHSON-8, OptiMOS IQE065N10NM5SCATMA1
