Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 151 A 60 V Forbedring, 8 Ben, PG-WHSON-8, OptiMOS
- RS-varenummer:
- 284-755
- Producentens varenummer:
- IQE022N06LM5SCATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 86,06
(ekskl. moms)
Kr. 107,575
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 100 enhed(er) afsendes fra 02. marts 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 17,212 | Kr. 86,06 |
| 50 - 95 | Kr. 16,352 | Kr. 81,76 |
| 100 - 495 | Kr. 15,14 | Kr. 75,70 |
| 500 - 995 | Kr. 13,942 | Kr. 69,71 |
| 1000 + | Kr. 13,42 | Kr. 67,10 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 284-755
- Producentens varenummer:
- IQE022N06LM5SCATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 151A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | PG-WHSON-8 | |
| Serie | OptiMOS | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 2.2mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 100W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 26nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS, JEDEC, IEC61249-2-21 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 151A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype PG-WHSON-8 | ||
Serie OptiMOS | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 2.2mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 100W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 26nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS, JEDEC, IEC61249-2-21 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon MOSFET har en OptiMOS 5 effekttransistor og er en meget effektiv MOSFET, der er designet til at opfylde kravene til avancerede strømstyringsanvendelser. Med en effektafledningskapacitet, der gør det muligt at arbejde pålideligt under intense forhold, sikrer denne effekttransistor optimal effektivitet og varmestyring. Dens Pb-fri og RoHS-kompatible konstruktion understøtter dens anvendelighed i miljøfølsomme applikationer, samtidig med at den er halogenfri, hvilket forbedrer dens tilpasningsevne på tværs af forskellige sektorer. Den er fuldt kvalificeret i henhold til JEDEC-standarderne for industrielle anvendelser og er en pålidelig komponent for ingeniører, der søger pålidelige, højtydende løsninger.
Optimeret til strømstyring
Understøtter synkron ensretning i SMPS
N-kanal med logisk niveau-kompatibilitet
Meget lav modstand for termisk ydeevne
Overlegen termisk modstand for pålidelighed
100 % lavinetestet for at sikre driften
Overholder miljøbestemmelserne
Omfattende validering til industriel brug
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 151 A 60 V Forbedring PG-WHSON-8, OptiMOS
- Infineon Type N-Kanal 151 A 150 V Forbedring PG-WHSON-8, IQD0
- Infineon Type N-Kanal 99 A 80 V Forbedring PG-WHSON-8, OptiMOS
- Infineon Type N-Kanal 132 A 60 V Forbedring PG-WHSON-8, OptiMOS
- Infineon Type N-Kanal 789 A 25 V Forbedring PG-WHSON-8, OptiMOS 5
- Infineon N-Kanal 85 A 100 V PG-WHSON-8, OptiMOS IQE065N10NM5SCATMA1
- Infineon N-Kanal 323 A 80 V PG-WHSON-8, OptiMOS 5 IQD016N08NM5SCATMA1
- Infineon N-Kanal 611 A 40 V PG-WHSON-8, OptiMOS 6 IQDH45N04LM6SCATMA1
