Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 276 A 100 V Forbedring, 8 Ben, PG-WHSON-8, IQD0
- RS-varenummer:
- 351-912
- Producentens varenummer:
- IQD020N10NM5SCATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 74,80
(ekskl. moms)
Kr. 93,50
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 5.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 37,40 | Kr. 74,80 |
| 20 - 198 | Kr. 33,695 | Kr. 67,39 |
| 200 - 998 | Kr. 31,04 | Kr. 62,08 |
| 1000 - 1998 | Kr. 28,80 | Kr. 57,60 |
| 2000 + | Kr. 25,845 | Kr. 51,69 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 351-912
- Producentens varenummer:
- IQD020N10NM5SCATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 276A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Emballagetype | PG-WHSON-8 | |
| Serie | IQD0 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 2.05mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 333W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 107nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 0.75mm | |
| Standarder/godkendelser | IEC61249-2-21, RoHS, JEDEC | |
| Længde | 5mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 276A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Emballagetype PG-WHSON-8 | ||
Serie IQD0 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 2.05mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 333W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 107nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 0.75mm | ||
Standarder/godkendelser IEC61249-2-21, RoHS, JEDEC | ||
Længde 5mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
Infineon Power MOSFET har en lav RDS(on) på 2,05 mOhm kombineret med en fremragende termisk ydeevne for nem styring af effekttab. Desuden kan der med den dobbeltsidede kølepakke afgives fem gange mere strøm sammenlignet med den overstøbte pakke. Det giver højere systemeffektivitet og effekttæthed til en lang række slutanvendelser.
Banebrydende 100 V siliciumteknologi
Udestående FOM'er
Forbedret termisk ydeevne
Ultra-lav parasitær
Maksimeret chip- eller pakkeforhold
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 151 A 150 V Forbedring PG-WHSON-8, IQD0
- Infineon Type N-Kanal 276 A 100 V Forbedring PG-WHTFN-9, IQD0
- Infineon Type N-Kanal 99 A 80 V Forbedring PG-WHSON-8, OptiMOS
- Infineon Type N-Kanal 132 A 60 V Forbedring PG-WHSON-8, OptiMOS
- Infineon Type N-Kanal 151 A 60 V Forbedring PG-WHSON-8, OptiMOS
- Infineon Type N-Kanal 789 A 25 V Forbedring PG-WHSON-8, OptiMOS 5
- Infineon Type N-Kanal 151 A 150 V Forbedring PG-WHTFN-9, IQD0
- Infineon Type N-Kanal 205 A 40 V Forbedring WHSON, IQE