Infineon N-Kanal, MOSFET, 276 A 100 V Forbedring, 9 Ben, PG-WHTFN-9, IQD0
- RS-varenummer:
- 351-909
- Producentens varenummer:
- IQD020N10NM5CGSCATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 97,84
(ekskl. moms)
Kr. 122,30
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 5.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 48,92 | Kr. 97,84 |
| 20 - 198 | Kr. 44,13 | Kr. 88,26 |
| 200 - 998 | Kr. 40,655 | Kr. 81,31 |
| 1000 - 1998 | Kr. 37,70 | Kr. 75,40 |
| 2000 + | Kr. 33,81 | Kr. 67,62 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 351-909
- Producentens varenummer:
- IQD020N10NM5CGSCATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 276A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Emballagetype | PG-WHTFN-9 | |
| Serie | IQD0 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 9 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 2.05mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 333W | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 107nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 750μm | |
| Længde | 5mm | |
| Bredde | 6mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS, Halogen-Free According to IEC61249-2-21, JEDEC Qualified | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 276A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Emballagetype PG-WHTFN-9 | ||
Serie IQD0 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 9 | ||
Drain source modstand maks. Rds 2.05mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 333W | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 107nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 750μm | ||
Længde 5mm | ||
Bredde 6mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS, Halogen-Free According to IEC61249-2-21, JEDEC Qualified | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
Infineon Power MOSFET har en lav RDS(on) på 2,05 mOhm kombineret med en fremragende termisk ydeevne for nem styring af effekttab. Center-Gate-fodaftrykket er optimeret til parallelisering. Desuden kan der med den dobbeltsidede kølepakke afgives fem gange mere strøm sammenlignet med den overstøbte pakke. Det giver højere systemeffektivitet og effekttæthed til en lang række slutanvendelser.
Banebrydende 100 V siliciumteknologi
Udestående FOM'er
Forbedret termisk ydeevne
Ultra-lav parasitær
Maksimeret chip- eller pakkeforhold
Center-Gate fodaftryk
Pakke af industristandard
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 151 A 150 V Forbedring PG-WHTFN-9, IQD0
- Infineon N-Kanal 276 A 100 V Forbedring PG-WHSON-8, IQD0
- Infineon N-Kanal 99 A 80 V Forbedring PG-WHTFN-9, OptiMOS
- Infineon N-Kanal 132 A 60 V Forbedring PG-WHTFN-9, OptiMOS
- Infineon N-Kanal 700 A 30 V Forbedring PG-WHTFN-9, OptiMOS 5
- Infineon N-Kanal 447 A 60 V Forbedring PG-WHTFN-9, OptiMOS 5
- Infineon N-Kanal 127 A 80 V Forbedring PG-WHTFN-9, OptiMOS
- Infineon N-Kanal 151 A 150 V Forbedring PG-WHSON-8, IQD0