Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 276 A 100 V Forbedring, 9 Ben, PG-WHTFN-9, IQD0 Nej IQD020N10NM5CGSCATMA1
- RS-varenummer:
- 351-909
- Producentens varenummer:
- IQD020N10NM5CGSCATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 84,59
(ekskl. moms)
Kr. 105,738
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 5.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 42,295 | Kr. 84,59 |
| 20 - 198 | Kr. 38,11 | Kr. 76,22 |
| 200 - 998 | Kr. 35,12 | Kr. 70,24 |
| 1000 - 1998 | Kr. 32,575 | Kr. 65,15 |
| 2000 + | Kr. 29,21 | Kr. 58,42 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 351-909
- Producentens varenummer:
- IQD020N10NM5CGSCATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 276A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Serie | IQD0 | |
| Emballagetype | PG-WHTFN-9 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 9 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 2.05mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | ±20 V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 107nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 333W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Bredde | 6 mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS, Halogen-Free According to IEC61249-2-21, JEDEC Qualified | |
| Længde | 5mm | |
| Højde | 0.75mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 276A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Serie IQD0 | ||
Emballagetype PG-WHTFN-9 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 9 | ||
Drain source modstand maks. Rds 2.05mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. ±20 V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 107nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 333W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Bredde 6 mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS, Halogen-Free According to IEC61249-2-21, JEDEC Qualified | ||
Længde 5mm | ||
Højde 0.75mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
Infineon Power MOSFET har en lav RDS(on) på 2,05 mOhm kombineret med en fremragende termisk ydeevne for nem styring af effekttab. Center-Gate-fodaftrykket er optimeret til parallelisering. Desuden kan der med den dobbeltsidede kølepakke afgives fem gange mere strøm sammenlignet med den overstøbte pakke. Det giver højere systemeffektivitet og effekttæthed til en lang række slutanvendelser.
Banebrydende 100 V siliciumteknologi
Udestående FOM'er
Forbedret termisk ydeevne
Ultra-lav parasitær
Maksimeret chip- eller pakkeforhold
Center-Gate fodaftryk
Pakke af industristandard
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 151 A 150 V PG-WHTFN-9, IQD0 IQD063N15NM5CGSCATMA1
- Infineon N-Kanal 276 A 150 V PG-WHSON-8, IQD0 IQD020N10NM5SCATMA1
- Infineon N-Kanal 151 A 150 V PG-WHSON-8, IQD0 IQD063N15NM5SCATMA1
- Infineon N-Kanal 132 A 60 V PG-WHTFN-9, OptiMOS IQE030N06NM5CGSCATMA1
- Infineon N-Kanal 85 A 100 V PG-WHTFN-9, OptiMOS IQE065N10NM5CGSCATMA1
- Infineon N-Kanal 99 A 80 V PG-WHTFN-9, OptiMOS IQE046N08LM5CGSCATMA1
- Infineon N-Kanal 99 A 80 V PG-WHTFN-9, OptiMOS IQE050N08NM5CGSCATMA1
- Infineon N-Kanal 700 A 30 V PG-WHTFN-9, OptiMOS 5 IQDH35N03LM5CGSCATMA1
