Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 276 A 100 V Forbedring, 9 Ben, PG-WHTFN-9, IQD0

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 2 enheder)*

Kr. 74,80

(ekskl. moms)

Kr. 93,50

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 5.000 enhed(er) afsendes fra 17. april 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
Pr pakke*
2 - 18Kr. 37,40Kr. 74,80
20 - 198Kr. 33,695Kr. 67,39
200 - 998Kr. 31,04Kr. 62,08
1000 - 1998Kr. 28,80Kr. 57,60
2000 +Kr. 25,845Kr. 51,69

*Vejledende pris

RS-varenummer:
351-909
Producentens varenummer:
IQD020N10NM5CGSCATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

276A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Serie

IQD0

Emballagetype

PG-WHTFN-9

Monteringstype

Overflade

Benantal

9

Drain source modstand maks. Rds

2.05mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

333W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

107nC

Gennemgangsspænding Vf

1V

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

175°C

Længde

5mm

Standarder/godkendelser

RoHS, Halogen-Free According to IEC61249-2-21, JEDEC Qualified

Højde

0.75mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
MY
Infineon Power MOSFET har en lav RDS(on) på 2,05 mOhm kombineret med en fremragende termisk ydeevne for nem styring af effekttab. Center-Gate-fodaftrykket er optimeret til parallelisering. Desuden kan der med den dobbeltsidede kølepakke afgives fem gange mere strøm sammenlignet med den overstøbte pakke. Det giver højere systemeffektivitet og effekttæthed til en lang række slutanvendelser.

Banebrydende 100 V siliciumteknologi

Udestående FOM'er

Forbedret termisk ydeevne

Ultra-lav parasitær

Maksimeret chip- eller pakkeforhold

Center-Gate fodaftryk

Pakke af industristandard

Relaterede links