Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 99 A 80 V Forbedring, 9 Ben, PG-WHTFN-9, OptiMOS
- RS-varenummer:
- 284-764
- Producentens varenummer:
- IQE046N08LM5CGSCATMA1
- Brand:
- Infineon
Kan ikke leveres i øjeblikket
Beklager, men vi ved ikke, hvornår dette er på lager igen.
- RS-varenummer:
- 284-764
- Producentens varenummer:
- IQE046N08LM5CGSCATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 99A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 80V | |
| Emballagetype | PG-WHTFN-9 | |
| Serie | OptiMOS | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 9 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 4.6mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 19nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 100W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | JEDEC, IEC61249-2-21, RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 99A | ||
Drain source spænding maks. Vds 80V | ||
Emballagetype PG-WHTFN-9 | ||
Serie OptiMOS | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 9 | ||
Drain source modstand maks. Rds 4.6mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 19nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 100W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser JEDEC, IEC61249-2-21, RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon MOSFET har en OptiMOS 5 Power Transistor, der leverer høj effektivitet og pålidelighed skræddersyet til krævende applikationer. Med fokus på optimeret ydeevne i switch mode-strømforsyninger udmærker denne N-kanal-MOSFET sig ved synkron ensretning. Udviklet med avancerede termiske egenskaber sikrer den fremragende varmeafledning sammen med ultralav modstand ved tænding, hvilket muliggør effektiv drift selv under strenge elektriske krav. Komponenten udmærker sig ved sin omfattende validering i henhold til JEDEC-standarder for industrielle anvendelser, hvilket sikrer ro i sindet for professionelle brugere. Transistoren er ideel til industrielle strømkredse og har en robust lavineklassificering, der sikrer modstandsdygtighed under høje belastningsscenarier, hvilket gør den til et smart valg til morgendagens strømstyringssystemer.
Optimeret til højtydende SMPS
Logisk niveaukontrol til lavspændingssystemer
100% lavinetestet for pålidelighed
Halogenfrit design for miljømæssig ansvarlighed
Pb-fri blybelægning til moderne standarder
RoHS-kompatibel for sikker brug
Overlegen termisk modstand for holdbarhed
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 99 A 80 V Forbedring PG-WHTFN-9, OptiMOS
- Infineon Type N-Kanal 132 A 60 V Forbedring PG-WHTFN-9, OptiMOS
- Infineon N-kanal-Kanal 127 A 80 V Forbedring PG-WHTFN-9, OptiMOS
- Infineon Type N MOSFET 9 Ben OptiMOS 5
- Infineon Type N MOSFET 9 Ben OptiMOS 5
- Infineon Type N-Kanal 276 A 100 V Forbedring PG-WHTFN-9, IQD0
- Infineon Type N-Kanal 151 A 150 V Forbedring PG-WHTFN-9, IQD0
- Infineon Type N-Kanal 99 A 30 V Forbedring PG-TO252-3, OptiMOS
