Infineon N-Kanal, MOSFET, 99 A 80 V Forbedring, 9 Ben, PG-WHTFN-9, OptiMOS
- RS-varenummer:
- 284-765
- Producentens varenummer:
- IQE046N08LM5CGSCATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 159,32
(ekskl. moms)
Kr. 199,15
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 100 enhed(er) afsendes fra 05. november 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 31,864 | Kr. 159,32 |
| 50 - 95 | Kr. 30,264 | Kr. 151,32 |
| 100 - 495 | Kr. 28,08 | Kr. 140,40 |
| 500 - 995 | Kr. 25,82 | Kr. 129,10 |
| 1000 + | Kr. 24,848 | Kr. 124,24 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 284-765
- Producentens varenummer:
- IQE046N08LM5CGSCATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 99A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 80V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Emballagetype | PG-WHTFN-9 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 9 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 4.6mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 19nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 100W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | JEDEC, IEC61249-2-21, RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 99A | ||
Drain source spænding maks. Vds 80V | ||
Serie OptiMOS | ||
Emballagetype PG-WHTFN-9 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 9 | ||
Drain source modstand maks. Rds 4.6mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 19nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 100W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser JEDEC, IEC61249-2-21, RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon MOSFET har en OptiMOS 5 Power Transistor, der leverer høj effektivitet og pålidelighed skræddersyet til krævende applikationer. Med fokus på optimeret ydeevne i switch mode-strømforsyninger udmærker denne N-kanal-MOSFET sig ved synkron ensretning. Udviklet med avancerede termiske egenskaber sikrer den fremragende varmeafledning sammen med ultralav modstand ved tænding, hvilket muliggør effektiv drift selv under strenge elektriske krav. Komponenten udmærker sig ved sin omfattende validering i henhold til JEDEC-standarder for industrielle anvendelser, hvilket sikrer ro i sindet for professionelle brugere. Transistoren er ideel til industrielle strømkredse og har en robust lavineklassificering, der sikrer modstandsdygtighed under høje belastningsscenarier, hvilket gør den til et smart valg til morgendagens strømstyringssystemer.
Optimeret til højtydende SMPS
Logisk niveaukontrol til lavspændingssystemer
100% lavinetestet for pålidelighed
Halogenfrit design for miljømæssig ansvarlighed
Pb-fri blybelægning til moderne standarder
RoHS-kompatibel for sikker brug
Overlegen termisk modstand for holdbarhed
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 99 A 80 V Forbedring PG-WHTFN-9, OptiMOS
- Infineon N-Kanal 132 A 60 V Forbedring PG-WHTFN-9, OptiMOS
- Infineon N-Kanal 700 A 30 V Forbedring PG-WHTFN-9, OptiMOS 5
- Infineon N-Kanal 447 A 60 V Forbedring PG-WHTFN-9, OptiMOS 5
- Infineon N-Kanal 127 A 80 V Forbedring PG-WHTFN-9, OptiMOS
- Infineon N-Kanal 276 A 100 V Forbedring PG-WHTFN-9, IQD0
- Infineon N-Kanal 151 A 150 V Forbedring PG-WHTFN-9, IQD0
- Infineon N-Kanal 99 A 80 V Forbedring PG-WHSON-8, OptiMOS
