Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 132 A 60 V Forbedring, 9 Ben, PG-WHTFN-9, OptiMOS Nej IQE030N06NM5CGSCATMA1
- RS-varenummer:
- 284-758
- Producentens varenummer:
- IQE030N06NM5CGSCATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 86,06
(ekskl. moms)
Kr. 107,575
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 100 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 17,212 | Kr. 86,06 |
| 50 - 95 | Kr. 16,352 | Kr. 81,76 |
| 100 - 495 | Kr. 15,14 | Kr. 75,70 |
| 500 - 995 | Kr. 13,942 | Kr. 69,71 |
| 1000 + | Kr. 13,42 | Kr. 67,10 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 284-758
- Producentens varenummer:
- IQE030N06NM5CGSCATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 132A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | PG-WHTFN-9 | |
| Serie | OptiMOS | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 9 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 3mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 100W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 39nC | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | IEC61249-2-21, RoHS, JEDEC | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 132A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype PG-WHTFN-9 | ||
Serie OptiMOS | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 9 | ||
Drain source modstand maks. Rds 3mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 100W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 39nC | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser IEC61249-2-21, RoHS, JEDEC | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon MOSFET er en effekttransistor, der eksemplificerer banebrydende teknologi og ydeevne, designet til effektiv drift i krævende applikationer. Optimeret til synkron ensretning sikrer den fremragende termisk styring og pålidelighed, hvilket gør den til et ideelt valg til forskellige industrielle anvendelser. Den er bygget omkring OptiMOS 5-platformen og er skræddersyet til at fungere effektivt inden for et 60 V område og samtidig opretholde et kompakt fodaftryk. Det robuste design gør det muligt at skifte effektivt, hvilket sikrer høj ydeevne og minimerer tab.
Overlegen termisk modstand for pålidelighed
Pb-fri belægning til overholdelse af miljøkrav
100 % lavinetest til sikring af ydeevne
Ekstraordinær gate-ladning for effektivitet ved skift
Overholder standarderne for halogenfrihed
Ideel til krævende industrielle anvendelser
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 132 A 60 V PG-WHTFN-9, OptiMOS IQE030N06NM5CGSCATMA1
- Infineon N-Kanal 447 A 60 V PG-WHTFN-9, OptiMOS 5 IQDH88N06LM5CGSCATMA1
- Infineon N-Kanal 445 A 60 V PG-WHTFN-9, OptiMOS 5 IQD009N06NM5CGSCATMA1
- Infineon N-Kanal 85 A 100 V PG-WHTFN-9, OptiMOS IQE065N10NM5CGSCATMA1
- Infineon N-Kanal 99 A 80 V PG-WHTFN-9, OptiMOS IQE046N08LM5CGSCATMA1
- Infineon N-Kanal 99 A 80 V PG-WHTFN-9, OptiMOS IQE050N08NM5CGSCATMA1
- Infineon N-Kanal 700 A 30 V PG-WHTFN-9, OptiMOS 5 IQDH35N03LM5CGSCATMA1
- Infineon N-Kanal 323 A 80 V PG-WHTFN-9, OptiMOS 5 IQD016N08NM5CGSCATMA1