Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 99 A 30 V Forbedring, 3 Ben, PG-TO252-3, OptiMOS

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 10 enheder)*

Kr. 69,34

(ekskl. moms)

Kr. 86,68

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 2.000 enhed(er) afsendes fra 02. marts 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
10 - 90Kr. 6,934Kr. 69,34
100 - 240Kr. 6,597Kr. 65,97
250 - 490Kr. 6,104Kr. 61,04
500 - 990Kr. 5,625Kr. 56,25
1000 +Kr. 5,408Kr. 54,08

*Vejledende pris

RS-varenummer:
349-429
Producentens varenummer:
IPD030N03LF2SATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

99A

Drain source spænding maks. Vds

30V

Serie

OptiMOS

Emballagetype

PG-TO252-3

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

3.05mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

16nC

Effektafsættelse maks. Pd

83W

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

20 V

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

IEC61249-2-21, DIN IEC 68-1: 55/175/56, RoHS

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN
Infineons StrongIRFET 2 power MOSFET 30 V-teknologi har klassens bedste RDS(on) på 3 mOhm i en DPAK-pakke. Dette produkt henvender sig til en bred vifte af applikationer fra lav til høj skiftefrekvens.

Produkter til generelle formål

Fremragende robusthed

Bred tilgængelighed hos distributører

Standardpakker og pin-out

Høje produktions- og leveringsstandarder

Relaterede links