Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 99 A 30 V Forbedring, 3 Ben, PG-TO252-3, OptiMOS Nej IPD030N03LF2SATMA1

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 10 enheder)*

Kr. 69,34

(ekskl. moms)

Kr. 86,68

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 2.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
10 - 90Kr. 6,934Kr. 69,34
100 - 240Kr. 6,597Kr. 65,97
250 - 490Kr. 6,104Kr. 61,04
500 - 990Kr. 5,625Kr. 56,25
1000 +Kr. 5,408Kr. 54,08

*Vejledende pris

RS-varenummer:
349-429
Producentens varenummer:
IPD030N03LF2SATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

99A

Drain source spænding maks. Vds

30V

Serie

OptiMOS

Emballagetype

PG-TO252-3

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

3.05mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

83W

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

20 V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

16nC

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

IEC61249-2-21, DIN IEC 68-1: 55/175/56, RoHS

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN
Infineons StrongIRFET 2 power MOSFET 30 V-teknologi har klassens bedste RDS(on) på 3 mOhm i en DPAK-pakke. Dette produkt henvender sig til en bred vifte af applikationer fra lav til høj skiftefrekvens.

Produkter til generelle formål

Fremragende robusthed

Bred tilgængelighed hos distributører

Standardpakker og pin-out

Høje produktions- og leveringsstandarder

Relaterede links