Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 6 A 950 V Forbedring, 3 Ben, PG-TO252-3, OptiMOS

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 63,28

(ekskl. moms)

Kr. 79,10

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 80 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 - 45Kr. 12,656Kr. 63,28
50 - 95Kr. 11,49Kr. 57,45
100 - 245Kr. 10,562Kr. 52,81
250 - 995Kr. 9,724Kr. 48,62
1000 +Kr. 9,006Kr. 45,03

*Vejledende pris

RS-varenummer:
273-2786
Producentens varenummer:
IPD95R1K2P7ATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

6A

Drain source spænding maks. Vds

950V

Emballagetype

PG-TO252-3

Serie

OptiMOS

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

1.2Ω

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

52W

Portkildespænding maks.

20 V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

15nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

Nej

Infineon MOSFET er en 950 V CoolMOS P7 SJ strømforsyningsenhed. Den nyeste 950 V CoolMOS P7-serie sætter et nyt benchmark inden for 950 V super junction-teknologier og kombinerer den bedste ydeevne i klassen med state-of-the-art brugervenlighed. Muliggør design med højere effekttæthed, BOM-besparelser og lavere monteringsomkostninger. Det giver bedre produktionsudbytte ved at reducere ESD-relaterede fejl.

Færre produktionsproblemer

Fuldt optimeret portefølje

Let at køre og parallelt

Integreret Zenerdiode ESD-beskyttelse

Relaterede links