Infineon N-Kanal, MOSFET, 6 A 950 V Forbedring, 3 Ben, PG-TO252-3, OptiMOS
- RS-varenummer:
- 273-2786
- Producentens varenummer:
- IPD95R1K2P7ATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 71,81
(ekskl. moms)
Kr. 89,76
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 80 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 14,362 | Kr. 71,81 |
| 50 - 95 | Kr. 13,03 | Kr. 65,15 |
| 100 - 245 | Kr. 11,968 | Kr. 59,84 |
| 250 - 995 | Kr. 11,04 | Kr. 55,20 |
| 1000 + | Kr. 10,232 | Kr. 51,16 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 273-2786
- Producentens varenummer:
- IPD95R1K2P7ATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 6A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 950V | |
| Emballagetype | PG-TO252-3 | |
| Serie | OptiMOS | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.2Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 52W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 15nC | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 6A | ||
Drain source spænding maks. Vds 950V | ||
Emballagetype PG-TO252-3 | ||
Serie OptiMOS | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.2Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 52W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 15nC | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon MOSFET er en 950 V CoolMOS P7 SJ strømforsyningsenhed. Den nyeste 950 V CoolMOS P7-serie sætter et nyt benchmark inden for 950 V super junction-teknologier og kombinerer den bedste ydeevne i klassen med state-of-the-art brugervenlighed. Muliggør design med højere effekttæthed, BOM-besparelser og lavere monteringsomkostninger. Det giver bedre produktionsudbytte ved at reducere ESD-relaterede fejl.
Færre produktionsproblemer
Fuldt optimeret portefølje
Let at køre og parallelt
Integreret Zenerdiode ESD-beskyttelse
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 6 A 950 V Forbedring PG-TO252-3, OptiMOS
- Infineon N-Kanal 4.7 A 600 V Forbedring PG-TO252-3, OptiMOS
- Infineon N-Kanal 90 A 80 V Forbedring PG-TO252-3, OptiMOS
- Infineon N-Kanal 71 A 30 V Forbedring PG-TO252-3, OptiMOS
- Infineon N-Kanal 7 A 650 V Forbedring PG-TO252-3, OptiMOS
- Infineon N-Kanal 99 A 30 V Forbedring PG-TO252-3, OptiMOS
- Infineon N-Kanal 137 A 30 V Forbedring PG-TO252-3, OptiMOS
- Infineon N-Kanal 143 A 30 V Forbedring PG-TO252-3, OptiMOS