Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 137 A 30 V Forbedring, 3 Ben, PG-TO252-3, OptiMOS Nej IPD023N03LF2SATMA1

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 10 enheder)*

Kr. 79,89

(ekskl. moms)

Kr. 99,86

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 2.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
10 - 90Kr. 7,989Kr. 79,89
100 - 240Kr. 7,592Kr. 75,92
250 - 490Kr. 7,024Kr. 70,24
500 - 990Kr. 6,47Kr. 64,70
1000 +Kr. 6,231Kr. 62,31

*Vejledende pris

RS-varenummer:
349-427
Producentens varenummer:
IPD023N03LF2SATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

137A

Drain source spænding maks. Vds

30V

Serie

OptiMOS

Emballagetype

PG-TO252-3

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

2.35mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

39nC

Portkildespænding maks.

20 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

107W

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

DIN IEC 68-1: 55/175/56, IEC61249-2-21, RoHS

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN
Infineons StrongIRFET 2 power MOSFET 30 V-teknologi har klassens bedste RDS(on) på 2,3 mOhm i en DPAK-pakke. Dette produkt henvender sig til en bred vifte af applikationer fra lav til høj skiftefrekvens.

Produkter til generelle formål

Fremragende robusthed

Bred tilgængelighed hos distributører

Standardpakker og pin-out

Høje produktions- og leveringsstandarder

Relaterede links