Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 137 A 30 V Forbedring, 3 Ben, PG-TO252-3, OptiMOS

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 10 enheder)*

Kr. 79,89

(ekskl. moms)

Kr. 99,86

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 2.000 enhed(er) afsendes fra 09. marts 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
10 - 90Kr. 7,989Kr. 79,89
100 - 240Kr. 7,592Kr. 75,92
250 - 490Kr. 7,024Kr. 70,24
500 - 990Kr. 6,47Kr. 64,70
1000 +Kr. 6,231Kr. 62,31

*Vejledende pris

RS-varenummer:
349-427
Producentens varenummer:
IPD023N03LF2SATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

137A

Drain source spænding maks. Vds

30V

Serie

OptiMOS

Emballagetype

PG-TO252-3

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

2.35mΩ

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

20 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

39nC

Effektafsættelse maks. Pd

107W

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

DIN IEC 68-1: 55/175/56, IEC61249-2-21, RoHS

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN
Infineons StrongIRFET 2 power MOSFET 30 V-teknologi har klassens bedste RDS(on) på 2,3 mOhm i en DPAK-pakke. Dette produkt henvender sig til en bred vifte af applikationer fra lav til høj skiftefrekvens.

Produkter til generelle formål

Fremragende robusthed

Bred tilgængelighed hos distributører

Standardpakker og pin-out

Høje produktions- og leveringsstandarder

Relaterede links