Infineon Type P-Kanal, MOSFET, 6.5 A 60 V Forbedring, 3 Ben, PG-TO252-3, OptiMOS Nej
- RS-varenummer:
- 273-3006
- Producentens varenummer:
- IPD25DP06NMATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 55,24
(ekskl. moms)
Kr. 69,05
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 2.290 enhed(er) afsendes fra 01. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | Kr. 5,524 | Kr. 55,24 |
| 50 - 90 | Kr. 4,675 | Kr. 46,75 |
| 100 - 240 | Kr. 4,338 | Kr. 43,38 |
| 250 - 990 | Kr. 4,234 | Kr. 42,34 |
| 1000 + | Kr. 4,151 | Kr. 41,51 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 273-3006
- Producentens varenummer:
- IPD25DP06NMATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 6.5A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Emballagetype | PG-TO252-3 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 250mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 10.6nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 28W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS, IEC61249-2-21, DIN IEC 68-1: 55/175/56 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 6.5A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Serie OptiMOS | ||
Emballagetype PG-TO252-3 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 250mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 10.6nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 28W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS, IEC61249-2-21, DIN IEC 68-1: 55/175/56 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon P-kanals MOSFET'er i DPAK-hus repræsenterer den nye teknologi, der er rettet mod batteristyring, belastningsomskifter og omvendt polaritetsbeskyttelse. Dens nemme interface til MCU, hurtig skiftning samt lavine-robusthed gør den velegnet
Nemt interface til MCU
Forbedret effektivitet ved lave belastninger på grund af lav Qg
Hurtig skifte