Infineon Type P-Kanal, MOSFET, 6.5 A 60 V Forbedring, 3 Ben, PG-TO252-3, OptiMOS Nej IPD25DP06NMATMA1
- RS-varenummer:
- 273-3005
- Producentens varenummer:
- IPD25DP06NMATMA1
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 rulle af 2500 enheder)*
Kr. 4.105,00
(ekskl. moms)
Kr. 5.130,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 28. maj 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 2500 + | Kr. 1,642 | Kr. 4.105,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 273-3005
- Producentens varenummer:
- IPD25DP06NMATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 6.5A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Emballagetype | PG-TO252-3 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 250mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 28W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 10.6nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS, IEC61249-2-21, DIN IEC 68-1: 55/175/56 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 6.5A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Serie OptiMOS | ||
Emballagetype PG-TO252-3 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 250mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 28W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 10.6nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS, IEC61249-2-21, DIN IEC 68-1: 55/175/56 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon P-kanals MOSFET'er i DPAK-hus repræsenterer den nye teknologi, der er rettet mod batteristyring, belastningsomskifter og omvendt polaritetsbeskyttelse. Dens nemme interface til MCU, hurtig skiftning samt lavine-robusthed gør den velegnet
Nemt interface til MCU
Forbedret effektivitet ved lave belastninger på grund af lav Qg
Hurtig skifte
Relaterede links
- Infineon P-Kanal 6 3 ben, TO-252 IPD25DP06LMATMA1
- Infineon, MOSFET IPD25DP06NMATMA1
- Infineon P-Kanal -4 3 ben, TO-252 IPD40DP06NMATMA1
- Infineon P-Kanal 28 A 60 V TO-252 IPD380P06NMATMA1
- Infineon P-Kanal -16.4 A -60 V TO-252 IPD900P06NMATMA1
- Infineon P-Kanal -18.6 A -60 V TO-252 SPD18P06PGBTMA1
- Infineon P-Kanal 22 A 60 V DPAK (TO-252) IPD650P06NMATMA1
- Infineon P-Kanal 9 3 ben SIPMOS® SPD09P06PLGBTMA1
