Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 90 A 80 V Forbedring, 3 Ben, PG-TO252-3, OptiMOS
- RS-varenummer:
- 273-2784
- Producentens varenummer:
- IPD046N08N5ATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 98,29
(ekskl. moms)
Kr. 122,86
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 265 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 19,658 | Kr. 98,29 |
| 50 - 95 | Kr. 17,878 | Kr. 89,39 |
| 100 - 245 | Kr. 16,366 | Kr. 81,83 |
| 250 - 995 | Kr. 15,094 | Kr. 75,47 |
| 1000 + | Kr. 14,078 | Kr. 70,39 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 273-2784
- Producentens varenummer:
- IPD046N08N5ATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 90A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 80V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Emballagetype | PG-TO252-3 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 4.6mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 42nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 125W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | DIN IEC 68-1: 55/175/56, IEC61249-2-21, RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 90A | ||
Drain source spænding maks. Vds 80V | ||
Serie OptiMOS | ||
Emballagetype PG-TO252-3 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 4.6mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 42nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 125W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser DIN IEC 68-1: 55/175/56, IEC61249-2-21, RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon MOSFET er en N-kanal 80 V MOSFET. Den er velegnet til højfrekvent omskiftning og synkron ensretning. Denne MOSFET har en driftstemperatur på 175 grader Celsius. Denne MOSFET er kvalificeret iht. JEDEC1 til målanvendelse og halogenfri iht. IEC61249 2 21.
I overensstemmelse med RoHS
Blyfri blybelægning
Fremragende gate opladning
Meget lav modstand ved tænding
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 90 A 80 V Forbedring PG-TO252-3, OptiMOS
- Infineon Type P-Kanal 6.5 A 60 V Forbedring PG-TO252-3, OptiMOS
- Infineon Type N-Kanal 6 A 950 V Forbedring PG-TO252-3, OptiMOS
- Infineon Type P-Kanal 4.3 A 60 V Forbedring PG-TO252-3, OptiMOS
- Infineon Type P-Kanal -16.4 A 60 V Forbedring PG-TO252-3, OptiMOS
- Infineon Type N-Kanal 4.7 A 600 V Forbedring PG-TO252-3, OptiMOS
- Infineon Type N-Kanal 137 A 30 V Forbedring PG-TO252-3, OptiMOS
- Infineon Type N-Kanal 99 A 30 V Forbedring PG-TO252-3, OptiMOS