Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 90 A 80 V Forbedring, 3 Ben, PG-TO252-3, OptiMOS

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 89,37

(ekskl. moms)

Kr. 111,71

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 280 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 - 45Kr. 17,874Kr. 89,37
50 - 95Kr. 16,276Kr. 81,38
100 - 245Kr. 14,886Kr. 74,43
250 - 995Kr. 13,734Kr. 68,67
1000 +Kr. 12,806Kr. 64,03

*Vejledende pris

RS-varenummer:
273-2784
Producentens varenummer:
IPD046N08N5ATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

90A

Drain source spænding maks. Vds

80V

Emballagetype

PG-TO252-3

Serie

OptiMOS

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

4.6mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

125W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

42nC

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

DIN IEC 68-1: 55/175/56, IEC61249-2-21, RoHS

Bilindustristandarder

Nej

Infineon MOSFET er en N-kanal 80 V MOSFET. Den er velegnet til højfrekvent omskiftning og synkron ensretning. Denne MOSFET har en driftstemperatur på 175 grader Celsius. Denne MOSFET er kvalificeret iht. JEDEC1 til målanvendelse og halogenfri iht. IEC61249 2 21.

I overensstemmelse med RoHS

Blyfri blybelægning

Fremragende gate opladning

Meget lav modstand ved tænding

Relaterede links