Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 143 A 30 V Forbedring, 3 Ben, PG-TO252-3, OptiMOS
- RS-varenummer:
- 349-426
- Producentens varenummer:
- IPD020N03LF2SATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 114,00
(ekskl. moms)
Kr. 142,50
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 1.980 enhed(er) afsendes fra 23. juli 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | Kr. 11,40 | Kr. 114,00 |
| 100 - 240 | Kr. 10,824 | Kr. 108,24 |
| 250 + | Kr. 10,038 | Kr. 100,38 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 349-426
- Producentens varenummer:
- IPD020N03LF2SATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 143A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Emballagetype | PG-TO252-3 | |
| Serie | OptiMOS | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 2.05mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 136W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 33nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS, IEC61249-2-21, DIN IEC 68-1: 55/175/56 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 143A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Emballagetype PG-TO252-3 | ||
Serie OptiMOS | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 2.05mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 136W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 33nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS, IEC61249-2-21, DIN IEC 68-1: 55/175/56 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Infineons StrongIRFET 2 power MOSFET 30 V-teknologi har klassens bedste RDS(on) på 2 mOhm i en DPAK-pakke. Dette produkt henvender sig til en bred vifte af applikationer fra lav til høj skiftefrekvens.
Produkter til generelle formål
Fremragende robusthed
Bred tilgængelighed hos distributører
Standardpakker og pin-out
Høje produktions- og leveringsstandarder
Relaterede links
- Infineon Type P-Kanal 6.5 A 60 V Forbedring PG-TO252-3, OptiMOS
- Infineon Type N-Kanal 6 A 950 V Forbedring PG-TO252-3, OptiMOS
- Infineon Type N-Kanal 90 A 80 V Forbedring PG-TO252-3, OptiMOS
- Infineon Type P-Kanal 4.3 A 60 V Forbedring PG-TO252-3, OptiMOS
- Infineon Type P-Kanal -16.4 A 60 V Forbedring PG-TO252-3, OptiMOS
- Infineon Type N-Kanal 4.7 A 600 V Forbedring PG-TO252-3, OptiMOS
- Infineon Type N-Kanal 137 A 30 V Forbedring PG-TO252-3, OptiMOS
- Infineon Type N-Kanal 99 A 30 V Forbedring PG-TO252-3, OptiMOS