Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 143 A 30 V Forbedring, 3 Ben, PG-TO252-3, OptiMOS

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 10 enheder)*

Kr. 76,37

(ekskl. moms)

Kr. 95,46

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 1.980 enhed(er) afsendes fra 13. april 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
10 - 90Kr. 7,637Kr. 76,37
100 - 240Kr. 7,256Kr. 72,56
250 +Kr. 6,725Kr. 67,25

*Vejledende pris

RS-varenummer:
349-426
Producentens varenummer:
IPD020N03LF2SATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

143A

Drain source spænding maks. Vds

30V

Emballagetype

PG-TO252-3

Serie

OptiMOS

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

2.05mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

136W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

33nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

RoHS, IEC61249-2-21, DIN IEC 68-1: 55/175/56

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN
Infineons StrongIRFET 2 power MOSFET 30 V-teknologi har klassens bedste RDS(on) på 2 mOhm i en DPAK-pakke. Dette produkt henvender sig til en bred vifte af applikationer fra lav til høj skiftefrekvens.

Produkter til generelle formål

Fremragende robusthed

Bred tilgængelighed hos distributører

Standardpakker og pin-out

Høje produktions- og leveringsstandarder

Relaterede links