Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 99 A 80 V Forbedring, 8 Ben, PG-WHSON-8, OptiMOS
- RS-varenummer:
- 284-773
- Producentens varenummer:
- IQE050N08NM5SCATMA1
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 rulle af 6000 enheder)*
Kr. 78.252,00
(ekskl. moms)
Kr. 97.812,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 02. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 6000 + | Kr. 13,042 | Kr. 78.252,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 284-773
- Producentens varenummer:
- IQE050N08NM5SCATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 99A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 80V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Emballagetype | PG-WHSON-8 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 5mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 35nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 100W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.1V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | JEDEC, IEC61249-2-21, RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 99A | ||
Drain source spænding maks. Vds 80V | ||
Serie OptiMOS | ||
Emballagetype PG-WHSON-8 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 5mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 35nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 100W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.1V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser JEDEC, IEC61249-2-21, RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon MOSFET har en OptiMOS 5 Power Transistor, der er klassificeret til 80V, og som er specielt designet til at forbedre effektiviteten og ydeevnen i moderne elektroniske applikationer. Den udmærker sig ved at levere overlegen synkron ensretning, hvilket sikrer minimalt energitab og maksimerer systemets samlede pålidelighed. Takket være sin lave modstand ved tænding og fremragende termisk styring er denne transistor velegnet til krævende industrielle anvendelser, hvilket gør den til et foretrukket valg for teknikere, der sigter mod ydeevneoptimering. Med omfattende lavinetest og robust konstruktion lover den lang levetid i barske miljøer og er i overensstemmelse med globale RoHS-standarder, hvilket sikrer et stærkt engagement i sikkerhed og bæredygtighed.
Optimeret til synkron ensretning
N-kanal til nem integration af kredsløb
Lav modstand reducerer varmeudvikling
Ekstraordinær termisk modstand forhindrer overophedning
100% lavinetestet for pålidelighed
Pb-fri blybelægning til miljøvenlig produktion
Halogenfri konstruktion opfylder forskrifterne
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 99 A 80 V Forbedring PG-WHSON-8, OptiMOS
- Infineon Type N-Kanal 151 A 60 V Forbedring PG-WHSON-8, OptiMOS
- Infineon Type N-Kanal 132 A 60 V Forbedring PG-WHSON-8, OptiMOS
- Infineon Type N-Kanal 789 A 25 V Forbedring PG-WHSON-8, OptiMOS 5
- Infineon Type N-Kanal 99 A 80 V Forbedring PG-TSON-8, OptiMOS
- Infineon N-Kanal 323 A 80 V PG-WHSON-8, OptiMOS 5 IQD016N08NM5SCATMA1
- Infineon N-Kanal 85 A 100 V PG-WHSON-8, OptiMOS IQE065N10NM5SCATMA1
- Infineon N-Kanal 611 A 40 V PG-WHSON-8, OptiMOS 6 IQDH45N04LM6SCATMA1
