Infineon N-Kanal, MOSFET, 99 A 80 V Forbedring, 8 Ben, PG-WHSON-8, OptiMOS
- RS-varenummer:
- 284-768
- Producentens varenummer:
- IQE046N08LM5SCATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 151,10
(ekskl. moms)
Kr. 188,90
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 10 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 30,22 | Kr. 151,10 |
| 50 - 95 | Kr. 28,708 | Kr. 143,54 |
| 100 - 495 | Kr. 26,628 | Kr. 133,14 |
| 500 - 995 | Kr. 24,49 | Kr. 122,45 |
| 1000 + | Kr. 23,576 | Kr. 117,88 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 284-768
- Producentens varenummer:
- IQE046N08LM5SCATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 99A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 80V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Emballagetype | PG-WHSON-8 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 4.6mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 100W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 19nC | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | IEC61249-2-21, JEDEC, RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 99A | ||
Drain source spænding maks. Vds 80V | ||
Serie OptiMOS | ||
Emballagetype PG-WHSON-8 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 4.6mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 100W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 19nC | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser IEC61249-2-21, JEDEC, RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon MOSFET har en OptiMOS 5 Power Transistor, der er designet til at levere enestående ydeevne og pålidelighed i applikationer med høj effektivitet. Denne innovative MOSFET er konstrueret til synkron ensretning i switch-mode strømforsyninger og integrerer avancerede termiske styringsfunktioner for at sikre fremragende varmeafledning. Ved at udnytte en N-kanalkonfiguration på logisk niveau med ekstremt lav modstand garanterer den effektiv drift selv ved høje temperaturer. Denne komponent opfylder strenge industristandarder, samtidig med at den tilbyder robust lavinebeskyttelse, hvilket gør den til et førsteklasses valg til industrielle applikationer, der kræver høj strømstyrke og miljømæssig robusthed.
Optimeret til højtydende skift
Lav modstand forbedrer energieffektiviteten
Robust termisk ydeevne for lang levetid
Lavine-testet for pålidelighed
Pb-fri blybelægning opfylder RoHS-standarder
Halogenfri for miljøvenlig overensstemmelse
Ideel til krævende industrielle anvendelser
Kompakt pakke til nem integration
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 99 A 80 V Forbedring PG-WHSON-8, OptiMOS
- Infineon N-Kanal 151 A 60 V Forbedring PG-WHSON-8, OptiMOS
- Infineon N-Kanal 132 A 60 V Forbedring PG-WHSON-8, OptiMOS
- Infineon N-Kanal 789 A 25 V Forbedring PG-WHSON-8, OptiMOS 5
- Infineon N-Kanal 99 A 80 V Forbedring PG-TSON-8, OptiMOS
- Infineon N-Kanal 151 A 150 V Forbedring PG-WHSON-8, IQD0
- Infineon N-Kanal 276 A 100 V Forbedring PG-WHSON-8, IQD0
- Infineon N-Kanal 99 A 80 V Forbedring PG-WHTFN-9, OptiMOS
