Infineon N-Kanal, MOSFET, 99 A 80 V Forbedring, 9 Ben, PG-WHTFN-9, OptiMOS
- RS-varenummer:
- 284-771
- Producentens varenummer:
- IQE050N08NM5CGSCATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 148,40
(ekskl. moms)
Kr. 185,50
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 100 enhed(er) afsendes fra 09. oktober 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 29,68 | Kr. 148,40 |
| 50 - 95 | Kr. 28,214 | Kr. 141,07 |
| 100 - 495 | Kr. 26,12 | Kr. 130,60 |
| 500 - 995 | Kr. 24,026 | Kr. 120,13 |
| 1000 + | Kr. 23,174 | Kr. 115,87 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 284-771
- Producentens varenummer:
- IQE050N08NM5CGSCATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 99A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 80V | |
| Emballagetype | PG-WHTFN-9 | |
| Serie | OptiMOS | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 9 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 5.0mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 100W | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS Compliant | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 99A | ||
Drain source spænding maks. Vds 80V | ||
Emballagetype PG-WHTFN-9 | ||
Serie OptiMOS | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 9 | ||
Drain source modstand maks. Rds 5.0mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 100W | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS Compliant | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon MOSFET har en effekttransistor, der er et eksemplarisk valg til applikationer, der kræver høj effektivitet og pålidelighed. Denne N-kanals enhed er optimeret til synkron ensretning og er en del af OptiMOS 5-serien, der er kendt for sin robuste termiske ydeevne og lave on-modstand. Enheden fungerer effektivt ved spændinger på op til 80 V, hvilket gør den velegnet til en lang række industrielle anvendelser. Med funktioner som 100 % lavinetest og et Pb-frit design, der overholder RoHS-standarderne, er dette produkt et udtryk for både sikkerhed og bæredygtighed i fremstillingsprocessen. Dens lille fodaftryk og høje ydeevne manifesteres i det avancerede design, der sikrer fremragende termiske egenskaber og præsenterer en fremragende mulighed for designere, der sigter mod at forbedre den samlede systemets effektivitet.
Optimeret til synkron ensretning
N-kanal til nem integration af kredsløb
Lav modstand reducerer strømtab
Robust termisk modstand for pålidelighed
Lavinetestet til ekstreme forhold
Pb-fri blybelægning for sikkerhedens skyld
Halogenfri konstruktion opfylder IEC-standarder
Kvalificeret i henhold til JEDEC-industristandarder
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 99 A 80 V Forbedring PG-WHTFN-9, OptiMOS
- Infineon N-Kanal 132 A 60 V Forbedring PG-WHTFN-9, OptiMOS
- Infineon N-Kanal 700 A 30 V Forbedring PG-WHTFN-9, OptiMOS 5
- Infineon N-Kanal 447 A 60 V Forbedring PG-WHTFN-9, OptiMOS 5
- Infineon N-Kanal 127 A 80 V Forbedring PG-WHTFN-9, OptiMOS
- Infineon N-Kanal 276 A 100 V Forbedring PG-WHTFN-9, IQD0
- Infineon N-Kanal 151 A 150 V Forbedring PG-WHTFN-9, IQD0
- Infineon N-Kanal 99 A 80 V Forbedring PG-WHSON-8, OptiMOS
