Infineon N-Kanal, MOSFET, 34 A 650 V, 8 ben, PG-HSOF-8, 650V CoolMOS CFD7 SJ Power Device IPT65R080CFD7XTMA1
- RS-varenummer:
- 284-906
- Producentens varenummer:
- IPT65R080CFD7XTMA1
- Brand:
- Infineon
Ikke tilgængelig
RS lagerfører ikke længere dette produkt
- RS-varenummer:
- 284-906
- Producentens varenummer:
- IPT65R080CFD7XTMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. | 34 A | |
| Drain source spænding maks. | 650 V | |
| Kapslingstype | PG-HSOF-8 | |
| Serie | 650V CoolMOS CFD7 SJ Power Device | |
| Monteringstype | Overflademontering | |
| Benantal | 8 | |
| Kanalform | Enhancement | |
| Transistormateriale | SiC | |
| Antal elementer per chip | 1 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. 34 A | ||
Drain source spænding maks. 650 V | ||
Kapslingstype PG-HSOF-8 | ||
Serie 650V CoolMOS CFD7 SJ Power Device | ||
Monteringstype Overflademontering | ||
Benantal 8 | ||
Kanalform Enhancement | ||
Transistormateriale SiC | ||
Antal elementer per chip 1 | ||
Infineons MOSFET er en avanceret strømforsyningsanordning, der repræsenterer en betydelig innovation inden for strømstyring, og som fremviser enestående effektivitet og pålidelighed i et kompakt fodaftryk. Den er designet med den nyeste CoolMOS CFD7-teknologi og håndterer effektivt spændinger på op til 650 V, hvilket gør den ideel til krævende anvendelser som serverstrømforsyninger, telekommunikationsinfrastruktur og opladningssystemer til elbiler. Den unikke ultrahurtige kropsdiode sikrer en overlegen koblingsydelse, der muliggør høj effektivitet i resonanskoblingstopologier. Ved at kombinere avanceret termisk adfærd med minimale koblingstab er dette produkt konstrueret til at opfylde de strenge krav i moderne kraftapplikationer, hvilket øger systemets ydeevne og samtidig optimerer pladsen.
Ultrahurtig kropsdiode giver hurtigere skift
Minimale tab forbedrer systemets effektivitet
Høj nedbrydningsspænding til krævende opgaver
Optimeret til kompakt høj effekttæthed
Fremragende termisk ydeevne under tung belastning
Robust design giver sikkerhedsmargin
Ideel til faseskift- og LLC-applikationer
Fuldt JEDEC-kvalificeret til industriel brug
Minimale tab forbedrer systemets effektivitet
Høj nedbrydningsspænding til krævende opgaver
Optimeret til kompakt høj effekttæthed
Fremragende termisk ydeevne under tung belastning
Robust design giver sikkerhedsmargin
Ideel til faseskift- og LLC-applikationer
Fuldt JEDEC-kvalificeret til industriel brug
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 34 A 650 V PG-HSOF-8, 650V CoolMOS CFD7 SJ Power Device IPT65R080CFD7XTMA1
- Infineon N-Kanal 19 A 650 V PG-HSOF-8, 650V CoolMOS CFD7 SJ Power Device IPT65R155CFD7XTMA1
- Infineon N-Kanal 28 A 650 V PG-HSOF-8, 650V CoolMOS CFD7 SJ Power Device IPT65R099CFD7XTMA1
- Infineon N-Kanal 16 A. 650 V PG-HSOF-8, 650V CoolMOS CFD7 SJ Power Device IPT65R190CFD7XTMA1
- Infineon N-Kanal 23 A 650 V PG-HSOF-8, 650V CoolMOS CFD7 SJ Power Device IPT65R125CFD7XTMA1
- Infineon N-Kanal 43 A 650 V PG-HSOF-8, 650V CoolMOS CFD7 SJ Power Device IPT65R060CFD7XTMA1
- Infineon Type N-Kanal 63 A 650 V Forbedring PG-HSOF-8, 650V CoolMOS CFD7 SJ Power Device
- Infineon Type N-Kanal 23 A 600 V Forbedring HSOF, 600V CoolMOS G7 SJ Nej
