Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 63 A 120 V Forbedring, 8 Ben, PG-TDSON-8, OptiMOS 6 Power Transistor
- RS-varenummer:
- 285-050
- Producentens varenummer:
- ISC104N12LM6ATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 97,39
(ekskl. moms)
Kr. 121,74
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 29. juli 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 19,478 | Kr. 97,39 |
| 50 - 95 | Kr. 18,52 | Kr. 92,60 |
| 100 - 495 | Kr. 17,16 | Kr. 85,80 |
| 500 - 995 | Kr. 15,782 | Kr. 78,91 |
| 1000 + | Kr. 15,20 | Kr. 76,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 285-050
- Producentens varenummer:
- ISC104N12LM6ATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 63A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 120V | |
| Serie | OptiMOS 6 Power Transistor | |
| Emballagetype | PG-TDSON-8 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 10.4mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 94W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS Compliant | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 63A | ||
Drain source spænding maks. Vds 120V | ||
Serie OptiMOS 6 Power Transistor | ||
Emballagetype PG-TDSON-8 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 10.4mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 94W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS Compliant | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon MOSFET er en førsteklasses effekttransistor designet til applikationer med høj effektivitet. Med sine avancerede N-kanals logikniveauegenskaber udmærker den sig ved at give meget lav modstand ved tænding, hvilket sikrer optimale energibesparelser under drift. Den innovative SuperSO8-pakke forbedrer varmestyringen, hvilket gør den ideel til højfrekvente switching-opgaver. Denne tilstand af ART-komponenten kan prale af fremragende gate-ladning, hvilket reducerer de tab, der typisk opstår i mindre sofistikerede enheder. Derudover garanterer dens overholdelse af RoHS- og halogenfri regler en forpligtelse til miljøvenlig teknologi.
N-kanal-teknologi giver overlegen ydeevne
Lav modstand reducerer strømtab
Designet til højfrekvente skift
Overholder branchens standarder for pålidelighed
RoHS- og halogenfri for miljøvenlighed
Håndterer høj lavinenergi for robusthed
Optimeret til synkron ensretning
Forbedrede termiske egenskaber for bedre varmeafledning
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 63 A 120 V Forbedring PG-TDSON-8, OptiMOS 6 Power Transistor
- Infineon Type P-Kanal -22 A 150 V Forbedring PG-TDSON-8, OptiMOS Power Transistor
- Infineon Type P-Kanal -32 A 100 V Forbedring PG-TDSON-8, OptiMOS Power Transistor
- Infineon Type P-Kanal -59 A 60 V Forbedring PG-TDSON-8, OptiMOS Power Transistor
- Infineon Type P-Kanal -19.6 A 60 V Forbedring PG-TDSON-8, OptiMOS Power Transistor
- Infineon Type N-Kanal 86 A 120 V Forbedring PG-TDSON-8, OptiMOS 6 Power Transistor
- Infineon 1 Type N-Kanal 8 Ben OptiMOS 6 Power Transistor
- Infineon Type N-Kanal 274 A 80 V Forbedring PG-TDSON-8-53, OptiMOS 7