Infineon Type P-Kanal, MOSFET, -59 A 60 V Forbedring, 8 Ben, PG-TDSON-8, OptiMOS Power Transistor
- RS-varenummer:
- 285-051
- Producentens varenummer:
- ISC240P06LMATMA1
- Brand:
- Infineon
Kan ikke leveres i øjeblikket
Beklager, men vi ved ikke, hvornår dette er på lager igen.
- RS-varenummer:
- 285-051
- Producentens varenummer:
- ISC240P06LMATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | -59A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | PG-TDSON-8 | |
| Serie | OptiMOS Power Transistor | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 24mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 188W | |
| Portkildespænding maks. | ±20 V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS Compliant | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id -59A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype PG-TDSON-8 | ||
Serie OptiMOS Power Transistor | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 24mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 188W | ||
Portkildespænding maks. ±20 V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS Compliant | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineons MOSFET er en banebrydende P-kanal-MOSFET, der er designet til at levere exceptionel ydelse i strømstyringsapplikationer. Den har en nominel spænding på 60 V og udmærker sig ved både høj effektivitet og lav modstand, hvilket sikrer minimalt strømtab under drift. Det robuste design er 100 % lavinetestet og giver ro i sindet til ingeniører, der søger pålidelige løsninger i krævende miljøer. Transistoren fungerer på logisk niveau, hvilket gør den velegnet til en række forskellige kontrolscenarier i industrielle applikationer.
Sprøjtestøbt til termisk styring
Valideret i henhold til JEDEC-standarder for pålidelighed
RoHS-kompatibel for overholdelse af miljøkrav
Halogenfrie materialer for bæredygtighed
Optimeret til effektivitet ved høj hastighed
Relaterede links
- Infineon Type P-Kanal -59 A 60 V Forbedring PG-TDSON-8, OptiMOS Power Transistor
- Infineon Type P-Kanal -22 A 150 V Forbedring PG-TDSON-8, OptiMOS Power Transistor
- Infineon Type P-Kanal -19.6 A 60 V Forbedring PG-TDSON-8, OptiMOS Power Transistor
- Infineon Type P-Kanal -32 A 100 V Forbedring PG-TDSON-8, OptiMOS Power Transistor
- Infineon Type N-Kanal 86 A 120 V Forbedring PG-TDSON-8, OptiMOS 6 Power Transistor
- Infineon Type N-Kanal 63 A 120 V Forbedring PG-TDSON-8, OptiMOS 6 Power Transistor
- Infineon 1 Type N-Kanal 8 Ben OptiMOS 6 Power Transistor
- Infineon Type N-Kanal 18 A 100 V N PG-TDSON-8, OptiMOS-TM3
