Infineon N-Kanal, MOSFET, 1,2 A 30 V, 3 ben, SOT-23, HEXFET IRLML2803TRPBF

RS-varenummer:: 302-022
Producentens varenummer:: IRLML2803TRPBF
Brand:: Infineon

Infineon N-Kanal, MOSFET, 1,2 A 30 V, 3 ben, SOT-23, HEXFET IRLML2803TRPBF

Der er mulighed for mængderabat

Pris pr. stk. (Leveres i pakke af 5)

Kr. 2,288

(ekskl. moms)

Kr. 2,86

(inkl. moms)

80 På lager for afsendelse samme dag*

815 enheder til afsendelse inden for 4 arbejdsdag(e) (UK lager)

* Leveringsdatoer afhænger af den valgte mængde og leveringsadressen.

Enheder	Pr stk.	Pr pakke**
5 - 45	Kr. 2,288	Kr. 11,44
50 - 245	Kr. 1,93	Kr. 9,65
250 - 495	Kr. 1,496	Kr. 7,48
500 - 1245	Kr. 1,182	Kr. 5,91
1250 +	Kr. 1,018	Kr. 5,09

RS-varenummer:: 302-022
Producentens varenummer:: IRLML2803TRPBF
Brand:: Infineon

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attribute	Value
Kanaltype	N
Drain-strøm kontinuerlig maks.	1,2 A
Drain source spænding maks.	30 V
Serie	HEXFET
Kapslingstype	SOT-23
Monteringstype	Overflademontering
Benantal	3
Drain source modstand maks.	250 mΩ
Kanalform	Enhancement
Maks. tærskelspænding for port	1V
Mindste tærskelspænding for port	1V
Effektafsættelse maks.	540 mW
Transistorkonfiguration	Enkelt
Gate source spænding maks.	-20 V, +20 V
Bredde	1.4mm
Længde	3.04mm
Driftstemperatur maks.	+150 °C
Antal elementer per chip	1
Gate-ladning ved Vgs typisk	3,3 nC ved 10 V
Transistormateriale	Si
Højde	1.02mm
Driftstemperatur min.	-55 °C

Infineon N-Kanal, MOSFET, 1,2 A 30 V, 3 ben, SOT-23, HEXFET IRLML2803TRPBF

N-kanal Power MOSFET 30 V, Infineon

Relaterede links