Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 5.3 A 30 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, HEXFET Nej

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*

Kr. 1.983,00

(ekskl. moms)

Kr. 2.478,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • 18.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
3000 - 3000Kr. 0,661Kr. 1.983,00
6000 - 6000Kr. 0,628Kr. 1.884,00
9000 +Kr. 0,589Kr. 1.767,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
913-4042
Producentens varenummer:
IRLML0030TRPBF
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

5.3A

Drain source spænding maks. Vds

30V

Serie

HEXFET

Emballagetype

SOT-23

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

27mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

2.6nC

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

1.3W

Gennemgangsspænding Vf

1V

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

3.04mm

Standarder/godkendelser

No

Bredde

1.4 mm

Højde

1.02mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
PH

Infineon MOSFET i HEXFET-serien, 5,3 A maksimal kontinuerlig afløbsstrøm, 1,3 W maksimal effektafledning - IRLML0030TRPBF


Denne MOSFET er designet til at levere effektiv switching til elektroniske kredsløb på tværs af forskellige industrielle applikationer. Dens FET-konfiguration i forbedringstilstand sikrer optimal ydelse til belastnings- eller systemskiftopgaver. Som nøglekomponent i automations- og elektronikbranchen er den alsidig og meget pålidelig, hvilket gør den til et vigtigt valg for ingeniører.

Egenskaber og fordele


• 5.3A kontinuerlig afløbsstrøm udvider driftskapaciteten

• 30 V maksimal drain-source-spænding understøtter krævende anvendelser

• Lav Rds(on) på 27 mΩ minimerer energitab under drift

• Kompatibel med overflademonteringsteknologi for nem integration

• Høj temperaturklassificering på +150 °C opretholder ydeevnen i udfordrende miljøer

• RoHS-kompatibel, fremmer miljøvenligt design og fremstilling

Anvendelsesområder


• Anvendes i mikrocontroller-interfacing til belastningsstyring

• Velegnet til bilelektronik til styring af kontakter

• Anvendes i strømforsyningskredsløb til effektiv strømhåndtering

• Ideel til forbrugerelektronik, der kræver kompakte strømløsninger

• Anvendes i automatiseringssystemer til konsekvent styring af operationer

Hvordan påvirker gate-tærskelspændingen koblingsadfærden?


Gate-tærskelspændingen angiver den mindste gate-to-source-spænding, der kræves for at aktivere enheden, hvilket påvirker dens skiftehastighed og driftseffektivitet.

Hvilke overvejelser bør man gøre sig under installationen med hensyn til varmestyring?


Korrekt varmeafledning skal sikres, da den maksimale driftstemperatur er +150 °C, hvilket er afgørende for at opretholde ydeevnen og sikkerheden.

Kan det integreres med eksisterende kredsløb, der er designet til andre teknologier?


Ja, den har en pinout af industristandard, som sikrer kompatibilitet med forskellige eksisterende overflademonteringsteknikker.

Hvad er konsekvenserne af den maksimale gate-source-spænding?


Spændingen på ±20 V skal overholdes for at undgå skader på gaten og sikre stabil drift inden for de angivne grænser.

N-kanal Power MOSFET 30 V, Infineon


Infineons serie af diskrete HEXFET® power MOSFET'er omfatter N-kanal-enheder til overflademontering og leadet pakker. Formfaktorerne kan håndtere næsten alle udfordringer i forbindelse med kortlayout og termisk design. Benchmark af modstand på tværs af serien reducerer tab i ledninger og giver udviklere mulighed for at levere den optimale systemeffektivitet.

MOSFET-transistorer, Infineon


Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.

Relaterede links