Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 5.3 A 30 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, HEXFET Nej IRLML0030TRPBF

RS-varenummer:: 725-9344
Producentens varenummer:: IRLML0030TRPBF
Brand:: Infineon

Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 5.3 A 30 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, HEXFET Nej IRLML0030TRPBF

Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 20 enheder)*

Kr. 21,66

(ekskl. moms)

Kr. 27,08

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.

På lager

Plus 800 enhed(er) afsendes fra 05. januar 2026
Plus 360 enhed(er) afsendes fra 05. januar 2026
Plus 18.440 enhed(er) afsendes fra 12. januar 2026

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr pakke*
20 - 180	Kr. 1,083	Kr. 21,66
200 - 480	Kr. 0,771	Kr. 15,42
500 - 980	Kr. 0,711	Kr. 14,22
1000 - 1980	Kr. 0,67	Kr. 13,40
2000 +	Kr. 0,617	Kr. 12,34

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 725-9344
Producentens varenummer:: IRLML0030TRPBF
Brand:: Infineon

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Infineon
	Produkttype	MOSFET
	Kanaltype	Type N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	5.3A
	Drain source spænding maks. Vds	30V
	Serie	HEXFET
	Emballagetype	SOT-23
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	3
	Drain source modstand maks. Rds	27mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Portkildespænding maks.	20 V
	Effektafsættelse maks. Pd	1.3W
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	2.6nC
	Gennemgangsspænding Vf	1V
	Driftstemperatur maks.	150°C
	Standarder/godkendelser	No
	Længde	3.04mm
	Højde	1.02mm
	Bredde	1.4 mm
	Distrelec Product Id	304-45-309
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Infineon
	Produkttype MOSFET
	Kanaltype Type N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 5.3A
	Drain source spænding maks. Vds 30V
	Serie HEXFET
	Emballagetype SOT-23
	Monteringstype Overflade
	Benantal 3
	Drain source modstand maks. Rds 27mΩ
	Kanalform Forbedring
	Portkildespænding maks. 20 V
	Effektafsættelse maks. Pd 1.3W
	Min. driftstemperatur -55°C
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 2.6nC
	Gennemgangsspænding Vf 1V
	Driftstemperatur maks. 150°C
	Standarder/godkendelser No
	Længde 3.04mm
	Højde 1.02mm
	Bredde 1.4 mm
	Distrelec Product Id 304-45-309
	Bilindustristandarder Nej

Infineon MOSFET i HEXFET-serien, 5,3 A maksimal kontinuerlig afløbsstrøm, 1,3 W maksimal effektafledning - IRLML0030TRPBF

Denne MOSFET er designet til at levere effektiv switching til elektroniske kredsløb på tværs af forskellige industrielle applikationer. Dens FET-konfiguration i forbedringstilstand sikrer optimal ydelse til belastnings- eller systemskiftopgaver. Som nøglekomponent i automations- og elektronikbranchen er den alsidig og meget pålidelig, hvilket gør den til et vigtigt valg for ingeniører.

Egenskaber og fordele

• 5.3A kontinuerlig afløbsstrøm udvider driftskapaciteten

• 30 V maksimal drain-source-spænding understøtter krævende anvendelser

• Lav Rds(on) på 27 mΩ minimerer energitab under drift

• Kompatibel med overflademonteringsteknologi for nem integration

• Høj temperaturklassificering på +150 °C opretholder ydeevnen i udfordrende miljøer

• RoHS-kompatibel, fremmer miljøvenligt design og fremstilling

Anvendelsesområder

• Anvendes i mikrocontroller-interfacing til belastningsstyring

• Velegnet til bilelektronik til styring af kontakter

• Anvendes i strømforsyningskredsløb til effektiv strømhåndtering

• Ideel til forbrugerelektronik, der kræver kompakte strømløsninger

• Anvendes i automatiseringssystemer til konsekvent styring af operationer

Hvordan påvirker gate-tærskelspændingen koblingsadfærden?

Gate-tærskelspændingen angiver den mindste gate-to-source-spænding, der kræves for at aktivere enheden, hvilket påvirker dens skiftehastighed og driftseffektivitet.

Hvilke overvejelser bør man gøre sig under installationen med hensyn til varmestyring?

Korrekt varmeafledning skal sikres, da den maksimale driftstemperatur er +150 °C, hvilket er afgørende for at opretholde ydeevnen og sikkerheden.

Kan det integreres med eksisterende kredsløb, der er designet til andre teknologier?

Ja, den har en pinout af industristandard, som sikrer kompatibilitet med forskellige eksisterende overflademonteringsteknikker.

Hvad er konsekvenserne af den maksimale gate-source-spænding?

Spændingen på ±20 V skal overholdes for at undgå skader på gaten og sikre stabil drift inden for de angivne grænser.

N-kanal Power MOSFET 30 V, Infineon

Infineons serie af diskrete HEXFET® power MOSFET'er omfatter N-kanal-enheder til overflademontering og leadet pakker. Formfaktorerne kan håndtere næsten alle udfordringer i forbindelse med kortlayout og termisk design. Benchmark af modstand på tværs af serien reducerer tab i ledninger og giver udviklere mulighed for at levere den optimale systemeffektivitet.

MOSFET-transistorer, Infineon

Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.