Infineon N-Kanal, MOSFET, 5.3 A 30 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, HEXFET
- RS-varenummer:
- 725-9344
- Elfa Distrelec varenummer:
- 304-45-309
- Producentens varenummer:
- IRLML0030TRPBF
- Brand:
- Infineon
Få rabat ved storkøb
Tilføj 200 flere for at gemme 28%
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 20 enheder)*
Kr. 50,42
(ekskl. moms)
Kr. 63,02
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 120 enhed(er) klar til afsendelse
- Plus 220 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
- Plus 9.860 enhed(er) afsendes fra 18. november 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* | Besparelse |
|---|---|---|---|
| 20 - 180 | Kr. 2,521 | Kr. 50,42 | - |
| 200 - 480 | Kr. 1,792 | Kr. 35,84 | 28% |
| 500 - 980 | Kr. 1,661 | Kr. 33,22 | 34% |
| 1000 - 1980 | Kr. 1,552 | Kr. 31,04 | 38% |
| 2000 + | Kr. 1,444 | Kr. 28,88 | 42% |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 725-9344
- Elfa Distrelec varenummer:
- 304-45-309
- Producentens varenummer:
- IRLML0030TRPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 5.3A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Emballagetype | SOT-23 | |
| Serie | HEXFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 27mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Portkildespænding maks. | -20V, +20V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 2.6nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 1.3W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 1.02mm | |
| Bredde | 1.4mm | |
| Længde | 3.04mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 5.3A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Emballagetype SOT-23 | ||
Serie HEXFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 27mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Portkildespænding maks. -20V, +20V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 2.6nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 1.3W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 1.02mm | ||
Bredde 1.4mm | ||
Længde 3.04mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon MOSFET i HEXFET-serien, 5,3 A maksimal kontinuerlig afløbsstrøm, 1,3 W maksimal effektafledning - IRLML0030TRPBF
Denne MOSFET er designet til at levere effektiv switching til elektroniske kredsløb på tværs af forskellige industrielle applikationer. Dens FET-konfiguration i forbedringstilstand sikrer optimal ydelse til belastnings- eller systemskiftopgaver. Som nøglekomponent i automations- og elektronikbranchen er den alsidig og meget pålidelig, hvilket gør den til et vigtigt valg for ingeniører.
Egenskaber og fordele
• 5.3A kontinuerlig afløbsstrøm udvider driftskapaciteten
• 30 V maksimal drain-source-spænding understøtter krævende anvendelser
• Lav Rds(on) på 27 mΩ minimerer energitab under drift
• Kompatibel med overflademonteringsteknologi for nem integration
• Høj temperaturklassificering på +150 °C opretholder ydeevnen i udfordrende miljøer
• RoHS-kompatibel, fremmer miljøvenligt design og fremstilling
Anvendelsesområder
• Anvendes i mikrocontroller-interfacing til belastningsstyring
• Velegnet til bilelektronik til styring af kontakter
• Anvendes i strømforsyningskredsløb til effektiv strømhåndtering
• Ideel til forbrugerelektronik, der kræver kompakte strømløsninger
• Anvendes i automatiseringssystemer til konsekvent styring af operationer
Hvordan påvirker gate-tærskelspændingen koblingsadfærden?
Gate-tærskelspændingen angiver den mindste gate-to-source-spænding, der kræves for at aktivere enheden, hvilket påvirker dens skiftehastighed og driftseffektivitet.
Hvilke overvejelser bør man gøre sig under installationen med hensyn til varmestyring?
Korrekt varmeafledning skal sikres, da den maksimale driftstemperatur er +150 °C, hvilket er afgørende for at opretholde ydeevnen og sikkerheden.
Kan det integreres med eksisterende kredsløb, der er designet til andre teknologier?
Ja, den har en pinout af industristandard, som sikrer kompatibilitet med forskellige eksisterende overflademonteringsteknikker.
Hvad er konsekvenserne af den maksimale gate-source-spænding?
Spændingen på ±20 V skal overholdes for at undgå skader på gaten og sikre stabil drift inden for de angivne grænser.
N-kanal Power MOSFET 30 V, Infineon
Infineons serie af diskrete HEXFET® power MOSFET'er omfatter N-kanal-enheder til overflademontering og leadet pakker. Formfaktorerne kan håndtere næsten alle udfordringer i forbindelse med kortlayout og termisk design. Benchmark af modstand på tværs af serien reducerer tab i ledninger og giver udviklere mulighed for at levere den optimale systemeffektivitet.
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 5.3 A 30 V Forbedring SOT-23, HEXFET
- Infineon N-Kanal 1.2 A 60 V Forbedring SOT-23, HEXFET
- Infineon N-Kanal 2.7 A 60 V Forbedring SOT-23, HEXFET
- Infineon N-Kanal 1.2 A 20 V Forbedring SOT-23, HEXFET
- Infineon N-Kanal 6.3 A 20 V Forbedring SOT-23, HEXFET
- Infineon N-Kanal 5 A 30 V Forbedring SOT-23, HEXFET
- Infineon N-Kanal 3.4 A 30 V Forbedring SOT-23, HEXFET
- Infineon N-Kanal 3.6 A 40 V Forbedring SOT-23, HEXFET