Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 5 A 30 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, HEXFET

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*

Kr. 2.073,00

(ekskl. moms)

Kr. 2.592,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Ordrer under Kr. 500,00 (ekskl. moms) koster Kr. 99,00.
På lager
  • Plus 36.000 enhed(er) afsendes fra 20. februar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
3000 - 3000Kr. 0,691Kr. 2.073,00
6000 - 6000Kr. 0,657Kr. 1.971,00
9000 +Kr. 0,615Kr. 1.845,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
913-4073
Producentens varenummer:
IRLML6344TRPBF
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

5A

Drain source spænding maks. Vds

30V

Serie

HEXFET

Emballagetype

SOT-23

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

37mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

6.8nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

12 V

Effektafsættelse maks. Pd

1.3W

Driftstemperatur maks.

150°C

Højde

1.02mm

Længde

3.04mm

Standarder/godkendelser

No

Bredde

1.4 mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
PH

Infineon MOSFET i HEXFET-serien, 5A maksimal kontinuerlig drænstrøm, 30V maksimal drænkildespænding - IRLML6344TRPBF


Denne MOSFET er en højtydende N-kanals overflademonteret enhed, der er velegnet til forskellige anvendelser i elektronik- og automationssektoren. Den er designet i en kompakt SOT-23-pakke og måler 3,04 mm i længden, 1,4 mm i bredden og 1,02 mm i højden. Den har en fremragende termisk ydeevne med et driftstemperaturområde på -55 °C til +150 °C.

Egenskaber og fordele


• Giver en kontinuerlig afløbsstrøm på 5A for robust ydeevne

• Maksimal drain-source-spænding på 30 V understøtter forskellige krav

• Lav RDS(on) på 29mΩ ved VGS = 4,5V reducerer effekttab

• Bredt gate-tærskelspændingsområde muliggør fleksibel drift

• Effektivt strømforbrug på 1,3 W øger pålideligheden

Anvendelser


• Ideel til mikrocontroller-belastningsskift i elektroniske systemer

• Bruges i strømstyringsløsninger til bilindustrien

• Effektiv i DC-DC-konvertere til effektiv energiomdannelse

• Velegnet til batteristyringssystemer for at forbedre ydeevnen

• Effektiv i motorstyringskredsløb til automatiseringsopgaver

Hvad er betydningen af den lave RDS(on)-værdi?


Den lave RDS(on)-værdi indikerer lavere ledningstab, hvilket betyder bedre effektivitet, især i applikationer med høj strøm. Denne egenskab er afgørende for at reducere varmeudviklingen i effektelektronik.

Hvilket spændingsområde kan anvendes på gate-source-overgangen?


Den maksimale gate-source-spænding er ±12V, hvilket giver fleksibilitet i køreforholdene og samtidig sikrer enhedens integritet inden for de nominelle grænser.

Hvordan klarer enheden sig under høje temperaturer?


Med en maksimal driftstemperatur på +150 °C er MOSFET'en bygget til at modstå barske miljøer, hvilket sikrer pålidelig funktionalitet i krævende applikationer.

Hvilke fordele giver det overflademonterede design?


SOT-23-overflademonteringsdesignet giver mulighed for kompakte kredsløbslayouts og forbedrer den termiske styring, hvilket gør den ideel til moderne elektroniske samlinger.

Relaterede links