Infineon N-Kanal, MOSFET, 2.7 A 30 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, HEXFET

RS-varenummer:: 165-7763
Producentens varenummer:: IRLML2030TRPBF
Brand:: Infineon

Infineon N-Kanal, MOSFET, 2.7 A 30 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, HEXFET

Kan ikke leveres i øjeblikket

Beklager, men vi ved ikke, hvornår dette er på lager igen.

RS-varenummer:: 165-7763
Producentens varenummer:: IRLML2030TRPBF
Brand:: Infineon

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Infineon
	Kanaltype	N
	Produkttype	MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	2.7A
	Drain source spænding maks. Vds	30V
	Serie	HEXFET
	Emballagetype	SOT-23
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	3
	Drain source modstand maks. Rds	100mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	1nC
	Gennemgangsspænding Vf	1V
	Portkildespænding maks.	-20V, +20V
	Effektafsættelse maks. Pd	1.3W
	Driftstemperatur maks.	150°C
	Højde	1.02mm
	Længde	3.04mm
	Standarder/godkendelser	No
	Bredde	1.4mm
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Infineon
	Kanaltype N
	Produkttype MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 2.7A
	Drain source spænding maks. Vds 30V
	Serie HEXFET
	Emballagetype SOT-23
	Monteringstype Overflade
	Benantal 3
	Drain source modstand maks. Rds 100mΩ
	Kanalform Forbedring
	Min. driftstemperatur -55°C
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 1nC
	Gennemgangsspænding Vf 1V
	Portkildespænding maks. -20V, +20V
	Effektafsættelse maks. Pd 1.3W
	Driftstemperatur maks. 150°C
	Højde 1.02mm
	Længde 3.04mm
	Standarder/godkendelser No
	Bredde 1.4mm
	Bilindustristandarder Nej

COO (Country of Origin):: PH

Infineon HEXFET seriens MOSFET, 30 V maksimal drain source spænding, 100 mΩ maksimal drain source modstand - IRLML2030TRPBF

Denne MOSFET er en kompakt N-kanal-forbedringsenhed, der er designet til kobling med lavt strømforbrug i overflademonterede enheder med lille formfaktor. Den er beregnet til anvendelser, der kræver moderat strømstyrkehåndtering og en 30 V blokeringsevne, og udfører koblingsopgaver i et bredt miljøområde fra kolde til høje temperaturer.

Egenskaber og fordele:

• Lav modstand ved tænding på 100 mΩ reducerer ledningstab og varme
• 30 V drain-source mærkeværdi muliggør omskiftning ved moderat spænding
• Kontinuerlig afløbsstrøm på 2,7 A understøtter vedvarende belastningsdrift
• Lav gate-opladning 1 nC muliggør hurtig og effektiv omskiftning
• Maks. effekttab på 1,3 W muliggør termisk budgettering
• Gate-source modstandsdygtighed over for 20 V giver indgangsmargen til drivere

Anvendelser

• Velegnet til batteribeskyttelse og belastningsswitching-kredsløb
• Ideel til strømstyringsfaser i bærbare enheder
• Anvendes sammen med DC-DC-omformere i små SMD-konstruktioner
• Kan bruges til LED-drivere og styring af små motorer
• Velegnet til signalniveauomskiftning i forbrugerelektronik

Hvilket termisk område kan den fungere inden for?

Den fungerer fra -55 °C op til 150 °C, hvilket muliggør brug under ekstreme omgivelsesforhold.

Hvordan er den pakket til printkortmontering?

Den leveres i en SOT-23-pakke til overflademontering til kompakt kortplacering.

Hvilken elektrisk rolle spiller enheden i koblingsdesign?

Den fungerer som en lavspændingstransistor, der håndterer tænd/sluk-styring og samtidig begrænser ledningstab på grund af dens specificerede RDS(on).

Hvor lille er komponentfodaftrykket for layoutplanlægning?

Enheden måler 3,04 x 1,4 x 1,02 mm, hvilket giver mulighed for tæt komponentpakning på SMD-kort.