Infineon N-Kanal, MOSFET, 2.7 A 30 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, HEXFET

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (20 enheder, i en pakke med 20)*

Kr. 40,40

(ekskl. moms)

Kr. 50,40

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Begrænset lager
  • 240 tilbage, klar til afsendelse
  • Plus 780 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
Pr pakke*
20 - 180Kr. 2,02Kr. 40,40
200 - 480Kr. 1,047Kr. 20,94
500 - 980Kr. 0,988Kr. 19,76
1000 - 1980Kr. 0,928Kr. 18,56
2000 +Kr. 0,849Kr. 16,98

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
725-9353
Elfa Distrelec varenummer:
304-45-312
Producentens varenummer:
IRLML2030TRPBF
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

2.7A

Drain source spænding maks. Vds

30V

Emballagetype

SOT-23

Serie

HEXFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

100mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

1.3W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

1nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

-20V, +20V

Gennemgangsspænding Vf

1V

Driftstemperatur maks.

150°C

Bredde

1.4mm

Standarder/godkendelser

No

Højde

1.02mm

Længde

3.04mm

Bilindustristandarder

Nej

Infineon HEXFET seriens MOSFET, 30 V maksimal drain source spænding, 100 mΩ maksimal drain source modstand - IRLML2030TRPBF


Denne MOSFET er en kompakt N-kanal-forbedringsenhed, der er designet til kobling med lavt strømforbrug i overflademonterede enheder med lille formfaktor. Den er beregnet til anvendelser, der kræver moderat strømstyrkehåndtering og en 30 V blokeringsevne, og udfører koblingsopgaver i et bredt miljøområde fra kolde til høje temperaturer.

Egenskaber og fordele:


• Lav modstand ved tænding på 100 mΩ reducerer ledningstab og varme
• 30 V drain-source mærkeværdi muliggør omskiftning ved moderat spænding
• Kontinuerlig afløbsstrøm på 2,7 A understøtter vedvarende belastningsdrift
• Lav gate-opladning 1 nC muliggør hurtig og effektiv omskiftning
• Maks. effekttab på 1,3 W muliggør termisk budgettering
• Gate-source modstandsdygtighed over for 20 V giver indgangsmargen til drivere

Anvendelser


• Velegnet til batteribeskyttelse og belastningsswitching-kredsløb
• Ideel til strømstyringsfaser i bærbare enheder
• Anvendes sammen med DC-DC-omformere i små SMD-konstruktioner
• Kan bruges til LED-drivere og styring af små motorer
• Velegnet til signalniveauomskiftning i forbrugerelektronik

Hvilket termisk område kan den fungere inden for?


Den fungerer fra -55 °C op til 150 °C, hvilket muliggør brug under ekstreme omgivelsesforhold.

Hvordan er den pakket til printkortmontering?


Den leveres i en SOT-23-pakke til overflademontering til kompakt kortplacering.

Hvilken elektrisk rolle spiller enheden i koblingsdesign?


Den fungerer som en lavspændingstransistor, der håndterer tænd/sluk-styring og samtidig begrænser ledningstab på grund af dens specificerede RDS(on).

Hvor lille er komponentfodaftrykket for layoutplanlægning?


Enheden måler 3,04 x 1,4 x 1,02 mm, hvilket giver mulighed for tæt komponentpakning på SMD-kort.

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.