Infineon N-Kanal, MOSFET, 4.1 A 20 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, HEXFET

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*

Kr. 2.253,00

(ekskl. moms)

Kr. 2.817,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 08. oktober 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
Pr rulle*
3000 - 3000Kr. 0,751Kr. 2.253,00
6000 - 12000Kr. 0,731Kr. 2.193,00
15000 +Kr. 0,713Kr. 2.139,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
165-7766
Producentens varenummer:
IRLML6246TRPBF
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

4.1A

Drain source spænding maks. Vds

20V

Serie

HEXFET

Emballagetype

SOT-23

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

66mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

1.3W

Portkildespænding maks.

-12V, +12V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

3.5nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Driftstemperatur maks.

150°C

Højde

1.02mm

Længde

3.04mm

Standarder/godkendelser

No

Bredde

1.4mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
PH

Infineon HEXFET seriens MOSFET, 20 V maksimal drain source-spænding, 4,1 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - IRLML6246TRPBF


Denne MOSFET er en kompakt N-kanal-forbedringsenhed, der er designet til lavspændingsswitching i overflademonterede enheder. Den fungerer over et bredt temperaturområde og accepterer gate-drive-niveauer, der er kompatible med almindelige styringskredsløb. Pakken og de elektriske egenskaber gør den velegnet til kort med begrænset plads, der kræver effektiv kobling uden høje krav til strømstyring.

Egenskaber og fordele:


• Maksimal drain-source-spænding 20 V muliggør lavspændingsswitching-anvendelser
• Kontinuerlig afløbsstrøm på 4,1 A understøtter moderate belastningsstrømme
• Lav modstand ved tænding på 66 mΩ minimerer ledningstab
• En typisk gateopladning på 3,5 nC muliggør hurtigere skifteovergange
• Maks. effekttab på 1,3 W passer til begrænsede termiske budgetter
• Gate-source-tolerance op til 12 V muliggør robuste drevmargener

Anvendelser


• Velegnet til omskiftning af batteristyring i bærbare systemer
• Ideel til belastningsswitching i strømfordelingsmoduler
• Anvendes sammen med gate-drivere i motorstyringslavspændingstrin
• Kan bruges til synkron omskiftning af DC-DC-konverter
• Velegnet til signalniveau-højhastighedsskift i styringskredsløb

Hvilke termiske ekstremer kan denne enhed tolerere under drift?


Den er specificeret til drift fra -55 °C op til 150 °C, hvilket giver mulighed for brug i miljøer med store temperatursvingninger.

Hvordan påvirker pakken printkortlayout og montering?


SOT‐23-formatet til overflademontering med tre ben reducerer kortområdet og understøtter automatiserede pick‐and‐place- og reflow-processer.

Hvad er den forventede adfærd ved højere gate-spændinger?


Enheden begrænser gate-source-værdierne til maks. 12 V, så gate-drev skal forblive inden for denne tærskel for at forhindre gate-oxidbelastning.

Hvordan fungerer enheden under kontinuerlig belastning?


Kontinuerlig afløbsstrøm er mærket til 4,1 A, mens termisk afledning er begrænset til 1,3 W, så der kræves et tilstrækkeligt kobberareal eller kølelegeme for at opretholde sikre samlingstemperaturer.

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.