Infineon N-Kanal, MOSFET, 5.8 A 25 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, HEXFET

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*

Kr. 1.455,00

(ekskl. moms)

Kr. 1.818,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 42.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
Pr rulle*
3000 - 3000Kr. 0,485Kr. 1.455,00
6000 - 6000Kr. 0,46Kr. 1.380,00
9000 +Kr. 0,442Kr. 1.326,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
165-7765
Producentens varenummer:
IRFML8244TRPBF
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

5.8A

Drain source spænding maks. Vds

25V

Emballagetype

SOT-23

Serie

HEXFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

41mΩ

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

-20V, +20V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

5.4nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Effektafsættelse maks. Pd

1.25W

Driftstemperatur maks.

150°C

Højde

1.02mm

Bredde

1.4mm

Standarder/godkendelser

No

Længde

3.04mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
PH

Infineon HEXFET seriens MOSFET, 25 V maksimal drain source-spænding, 5,8 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - IRFML8244TRPBF


Denne MOSFET er en kompakt N-kanal-forbedringsenhed, der er designet til overflademonteret effektkobling og signalniveaustyring i kompakte elektroniske enheder. Den fungerer over et bredt temperaturområde, der er velegnet til krævende miljøer, og er beregnet til brug, hvor lave ledningstab og beskeden effekthåndtering er påkrævet. Pakken understøtter trebenet SOT-23-montering til kortlayouter med begrænset plads.

Egenskaber og fordele:


• Lav modstand ved tænding på 41 mΩ reducerer ledningstab
• Kontinuerlig afløbsstrøm på 5,8 A understøtter højere belastningsstrømme
• Drain-source-spænding 25 V muliggør mellemspændingsswitching
• Typisk gate-opladning 5,4 nC muliggør hurtige gate-overgange
• Fremadgående spænding 1.2 V minimerer spændingsfaldet under belastning
• Maks. effekttab på 1,25 W styrer termisk budget

Anvendelser


• Velegnet til kompakte DC-DC-nedtransformeringskonvertere
• Ideel til bærbare strømstyringsmoduler
• Anvendes sammen med motordrev til styring af små aktuatorer
• Kan bruges til batteribeskyttelse og opladningskredsløb
• Velegnet til forbrugerelektronikkort med høj tæthed

Hvad er de termiske grænser for drift?


Enheden er klassificeret til drift mellem -55 °C og 150 °C, hvilket muliggør drift ved lavtemperaturstarter og høje omgivelsesforhold.

Hvilke ekstreme gate-spændinger bør undgås?


Gate-source-spændingen må ikke overstige 20 V for at forhindre belastning eller skader på enheden.

Hvor mange ben og hvilken monteringstype bruger den?


Den leveres som en trebenet komponent, der er beregnet til overflademontering i et SOT-23-footprint.

Hvilke lednings- og skiftekompromiser giver den?


Kombinationen af 41 mΩ modstand ved tænding og 5,4 nC portladning balancerer lave ledningstab med moderate krav til portdrev for effektiv omskiftning.

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.