Infineon N-Kanal, MOSFET, 5.8 A 25 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, HEXFET

RS-varenummer:: 737-7219
Elfa Distrelec varenummer:: 304-45-306
Producentens varenummer:: IRFML8244TRPBF
Brand:: Infineon

Infineon N-Kanal, MOSFET, 5.8 A 25 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, HEXFET

Indhold (20 enheder, i en pakke med 20)*

Kr. 29,14

(ekskl. moms)

Kr. 36,42

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.

Midlertidigt ikke på lager

42.100 enhed(er) afsendes fra 15. oktober 2026

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr pakke*
20 +	Kr. 1,457	Kr. 29,14

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 737-7219
Elfa Distrelec varenummer:: 304-45-306
Producentens varenummer:: IRFML8244TRPBF
Brand:: Infineon

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Infineon
	Produkttype	MOSFET
	Kanaltype	N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	5.8A
	Drain source spænding maks. Vds	25V
	Serie	HEXFET
	Emballagetype	SOT-23
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	3
	Drain source modstand maks. Rds	41mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	5.4nC
	Gennemgangsspænding Vf	1.2V
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Portkildespænding maks.	-20V, +20V
	Effektafsættelse maks. Pd	1.25W
	Driftstemperatur maks.	150°C
	Længde	3.04mm
	Bredde	1.4mm
	Standarder/godkendelser	No
	Højde	1.02mm
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Infineon
	Produkttype MOSFET
	Kanaltype N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 5.8A
	Drain source spænding maks. Vds 25V
	Serie HEXFET
	Emballagetype SOT-23
	Monteringstype Overflade
	Benantal 3
	Drain source modstand maks. Rds 41mΩ
	Kanalform Forbedring
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 5.4nC
	Gennemgangsspænding Vf 1.2V
	Min. driftstemperatur -55°C
	Portkildespænding maks. -20V, +20V
	Effektafsættelse maks. Pd 1.25W
	Driftstemperatur maks. 150°C
	Længde 3.04mm
	Bredde 1.4mm
	Standarder/godkendelser No
	Højde 1.02mm
	Bilindustristandarder Nej

Infineon HEXFET seriens MOSFET, 25 V maksimal drain source-spænding, 5,8 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - IRFML8244TRPBF

Denne MOSFET er en kompakt N-kanal-forbedringsenhed, der er designet til overflademonteret effektkobling og signalniveaustyring i kompakte elektroniske enheder. Den fungerer over et bredt temperaturområde, der er velegnet til krævende miljøer, og er beregnet til brug, hvor lave ledningstab og beskeden effekthåndtering er påkrævet. Pakken understøtter trebenet SOT-23-montering til kortlayouter med begrænset plads.

Egenskaber og fordele:

• Lav modstand ved tænding på 41 mΩ reducerer ledningstab
• Kontinuerlig afløbsstrøm på 5,8 A understøtter højere belastningsstrømme
• Drain-source-spænding 25 V muliggør mellemspændingsswitching
• Typisk gate-opladning 5,4 nC muliggør hurtige gate-overgange
• Fremadgående spænding 1.2 V minimerer spændingsfaldet under belastning
• Maks. effekttab på 1,25 W styrer termisk budget

Anvendelser

• Velegnet til kompakte DC-DC-nedtransformeringskonvertere
• Ideel til bærbare strømstyringsmoduler
• Anvendes sammen med motordrev til styring af små aktuatorer
• Kan bruges til batteribeskyttelse og opladningskredsløb
• Velegnet til forbrugerelektronikkort med høj tæthed

Hvad er de termiske grænser for drift?

Enheden er klassificeret til drift mellem -55 °C og 150 °C, hvilket muliggør drift ved lavtemperaturstarter og høje omgivelsesforhold.

Hvilke ekstreme gate-spændinger bør undgås?

Gate-source-spændingen må ikke overstige 20 V for at forhindre belastning eller skader på enheden.

Hvor mange ben og hvilken monteringstype bruger den?

Den leveres som en trebenet komponent, der er beregnet til overflademontering i et SOT-23-footprint.

Hvilke lednings- og skiftekompromiser giver den?

Kombinationen af 41 mΩ modstand ved tænding og 5,4 nC portladning balancerer lave ledningstab med moderate krav til portdrev for effektiv omskiftning.