Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 6.3 A 20 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, HEXFET
- RS-varenummer:
- 737-7228
- Elfa Distrelec varenummer:
- 304-45-316
- Producentens varenummer:
- IRLML6244TRPBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 20 enheder)*
Kr. 37,70
(ekskl. moms)
Kr. 47,12
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 340 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
- Plus 6.000 enhed(er) afsendes fra 24. december 2026
- Plus 6.000 enhed(er) afsendes fra 21. januar 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 20 - 140 | Kr. 1,885 | Kr. 37,70 |
| 160 - 740 | Kr. 0,812 | Kr. 16,24 |
| 760 - 1480 | Kr. 0,711 | Kr. 14,22 |
| 1500 + | Kr. 0,614 | Kr. 12,28 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 737-7228
- Elfa Distrelec varenummer:
- 304-45-316
- Producentens varenummer:
- IRLML6244TRPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 6.3A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 20V | |
| Serie | HEXFET | |
| Emballagetype | SOT-23 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 27mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 8.9nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 1.3W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 1.02mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 3.04mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 6.3A | ||
Drain source spænding maks. Vds 20V | ||
Serie HEXFET | ||
Emballagetype SOT-23 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 27mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 8.9nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 1.3W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 1.02mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 3.04mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal Power MOSFET fra 12 V til 25 V, Infineon
Infineons serie af diskrete HEXFET® power MOSFET'er omfatter N-kanal-enheder i overflademontering leadet pakker og formfaktorer, der kan håndtere næsten alle udfordringer i forbindelse med kortlayout og termisk design. Benchmark af modstand på tværs af serien reducerer tab i ledninger og giver udviklere mulighed for at levere den optimale systemeffektivitet.
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 6.3 A 20 V Forbedring SOT-23, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 5 A 30 V Forbedring SOT-23, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 2.7 A 60 V Forbedring SOT-23, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 3.6 A 40 V Forbedring SOT-23, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 5.3 A 30 V Forbedring SOT-23, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 2.7 A 30 V Forbedring SOT-23, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 3.4 A 30 V Forbedring SOT-23, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 1.2 A 60 V Forbedring SOT-23, HEXFET