Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 3.6 A 40 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, HEXFET

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*

Kr. 2.655,00

(ekskl. moms)

Kr. 3.318,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 6.000 enhed(er) afsendes fra 23. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
3000 +Kr. 0,885Kr. 2.655,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
913-4051
Producentens varenummer:
IRLML0040TRPBF
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

3.6A

Drain source spænding maks. Vds

40V

Serie

HEXFET

Emballagetype

SOT-23

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

56mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

1.3W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

2.6nC

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Portkildespænding maks.

16 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Bredde

1.4 mm

Længde

3.04mm

Standarder/godkendelser

No

Højde

1.02mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
PH

Infineon MOSFET i HEXFET-serien, 3,6 A maksimal kontinuerlig afløbsstrøm, 1,3 W maksimal effektafledning - IRLML0040TRPBF


Denne power-MOSFET er konstrueret til effektivitet og pålidelighed i en række elektroniske kredsløb. Med lav on-modstand og høj ydeevne er den velegnet til applikationer, der kræver energieffektivitet og robust drift. Denne komponent er kendt for sin evne til at håndtere betydelige elektriske belastninger, hvilket gør den relevant for ingeniører og fagfolk i automations- og elektroniksektoren.

Egenskaber og fordele


• Lav RDS(on) på 56mΩ reducerer koblingstab

• Understøtter enhancement mode for effektiv strømstyring

• Maksimal kontinuerlig afløbsstrøm på 3,6 A for stabil drift

• Fungerer ved en maksimal drain-source-spænding på 40V

• Designet til overflademonteringsteknologi, perfekt til kompakte designs

• Kompatibel med HEXFET-teknologi for høj ydeevne

Anvendelsesområder


• Ideel til last- og systemskift

• Anvendes i DC-motordrevssystemer

• Effektiv til højhastigheds-switching og forstærkere

• Velegnet til overflademontering i kompakte kredsløb

• Anvendes i forskellige effektelektroniske kredsløb

Hvad er den termiske modstand for denne enhed?


Den termiske modstand er typisk 100°C/W, hvilket sikrer effektiv varmeafledning under drift.

Hvordan påvirker gate-tærskelspændingen enhedens ydeevne?


Gate-tærskelspændingen varierer fra 1,0 V til 2,5 V, hvilket giver fleksibilitet i gate-kontrol på tværs af forskellige applikationer.

Kan den håndtere pulserende afløbsstrømme?


Ja, denne komponent kan udholde pulserende afløbsstrømme, der overstiger dens kontinuerlige klassificering, hvilket sikrer pålidelighed under forbigående forhold.

Hvilke faktorer påvirker den maksimale effektafgivelse for denne komponent?


Strømforbruget påvirkes hovedsageligt af omgivelsestemperaturen og den termiske modstand, som påvirker forbindelsestemperaturen under belastning.

N-kanal Power MOSFET 40 V, Infineon


Infineons serie af diskrete HEXFET® power MOSFET'er omfatter N-kanal-enheder i overflademontering leadet pakker og formfaktorer, der kan håndtere næsten alle udfordringer i forbindelse med kortlayout og termisk design. Benchmark af modstand på tværs af serien reducerer tab i ledninger og giver udviklere mulighed for at levere den optimale systemeffektivitet.

MOSFET-transistorer, Infineon


Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.

Relaterede links