onsemi Type N, Type P-Kanal, MOSFET, 7 A 65 V Dobbelt, 8 Ben, SOIC-8, NCV AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 327-795
- Producentens varenummer:
- NCV8406DD1CR2G
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 bånd af 10 enheder)*
Kr. 58,19
(ekskl. moms)
Kr. 72,74
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 2.500 enhed(er) afsendes fra 05. oktober 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr bånd* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | Kr. 5,819 | Kr. 58,19 |
| 100 - 240 | Kr. 5,52 | Kr. 55,20 |
| 250 - 490 | Kr. 5,124 | Kr. 51,24 |
| 500 - 990 | Kr. 4,712 | Kr. 47,12 |
| 1000 + | Kr. 4,54 | Kr. 45,40 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 327-795
- Producentens varenummer:
- NCV8406DD1CR2G
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N, Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 7A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 65V | |
| Emballagetype | SOIC-8 | |
| Serie | NCV | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 210mΩ | |
| Kanalform | Dobbelt | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 1.2W | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.1V | |
| Portkildespænding maks. | 14V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 4mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS, Pb-Free | |
| Højde | 1.75mm | |
| Længde | 5mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N, Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 7A | ||
Drain source spænding maks. Vds 65V | ||
Emballagetype SOIC-8 | ||
Serie NCV | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 210mΩ | ||
Kanalform Dobbelt | ||
Effektafsættelse maks. Pd 1.2W | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.1V | ||
Portkildespænding maks. 14V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 4mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS, Pb-Free | ||
Højde 1.75mm | ||
Længde 5mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- PH
ON Semiconductor Dual protected Low-Side Smart Discrete-enheden tilbyder omfattende beskyttelsesfunktioner, herunder overstrøm, overtemperatur, ESD og integreret Drain-to-Gate-klemme til overspændingsbeskyttelse. Den er designet til at fungere pålideligt i barske bilmiljøer.
Kortslutningsbeskyttelse
Termisk nedlukning med automatisk genstart