onsemi Type N, Type P-Kanal, MOSFET 65 V Dobbelt, 8 Ben, SOIC-8, NCV AEC-Q101

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 bånd af 10 enheder)*

Kr. 59,39

(ekskl. moms)

Kr. 74,24

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr bånd*
10 - 90Kr. 5,939Kr. 59,39
100 - 240Kr. 5,64Kr. 56,40
250 - 490Kr. 5,221Kr. 52,21
500 - 990Kr. 4,81Kr. 48,10
1000 +Kr. 4,63Kr. 46,30

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
327-795
Producentens varenummer:
NCV8406DD1CR2G
Brand:
onsemi
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

onsemi

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N, Type P

Drain source spænding maks. Vds

65V

Emballagetype

SOIC-8

Serie

NCV

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

210mΩ

Kanalform

Dobbelt

Effektafsættelse maks. Pd

1.2W

Portkildespænding maks.

14 V

Gennemgangsspænding Vf

1.1V

Min. driftstemperatur

-40°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Bredde

4 mm

Længde

5mm

Højde

1.75mm

Standarder/godkendelser

RoHS, Pb-Free

Bilindustristandarder

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
PH
ON Semiconductor Dual protected Low-Side Smart Discrete-enheden tilbyder omfattende beskyttelsesfunktioner, herunder overstrøm, overtemperatur, ESD og integreret Drain-to-Gate-klemme til overspændingsbeskyttelse. Den er designet til at fungere pålideligt i barske bilmiljøer.

Kortslutningsbeskyttelse

Termisk nedlukning med automatisk genstart

Relaterede links