onsemi 2 N-Kanal Dobbelt, Effekt MOSFET, 74 A 80 V Forbedring, 8 Ben, DFN AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 195-2671
- Producentens varenummer:
- NVMFD6H840NLWFT1G
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 15 enheder)*
Kr. 206,00
(ekskl. moms)
Kr. 257,49
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 1.170 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 15 - 135 | Kr. 13,733 | Kr. 206,00 |
| 150 - 360 | Kr. 11,843 | Kr. 177,65 |
| 375 + | Kr. 10,263 | Kr. 153,95 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 195-2671
- Producentens varenummer:
- NVMFD6H840NLWFT1G
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 74A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 80V | |
| Emballagetype | DFN | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 8.8mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 32nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 3.1W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.8V | |
| Driftstemperatur maks. | +175°C | |
| Transistorkonfiguration | Dobbelt | |
| Længde | 6.1mm | |
| Højde | 1.05mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 5.1mm | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 74A | ||
Drain source spænding maks. Vds 80V | ||
Emballagetype DFN | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 8.8mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 32nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 3.1W | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.8V | ||
Driftstemperatur maks. +175°C | ||
Transistorkonfiguration Dobbelt | ||
Længde 6.1mm | ||
Højde 1.05mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 5.1mm | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Bilstrøm MOSFET i et 3 x 3 mm fladt blyhus, der er beregnet til kompakte og effektive design og herunder høj termisk ydelse. Hæftbar flanke fås som ekstraudstyr til forbedret optisk inspektion. MOSFET- og PPAP-kapacitet er velegnet til brug i biler.
Lille format (5 x 6 mm)
Kompakt design
Lav RDS(on)
Minimere konduktive tab
Lav QG og kapacitet
Minimer drivertab
NVMFS5C410NLWF - Hæftbar flanke fås som ekstraudstyr
Forbedret optisk inspektion
PPAP-kapacitet
Anvendelse
Beskyttelse mod omvendt batteritilslutning
Switch-mode strømforsyninger
Strømkontakter (højside driver, lavside driver, H-broer osv.)