onsemi 2 Type N-Kanal Dobbelt, Effekt MOSFET, 74 A 80 V Forbedring, 8 Ben, DFN AEC-Q101

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 15 enheder)*

Kr. 187,485

(ekskl. moms)

Kr. 234,36

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 1.170 enhed(er) afsendes fra 20. april 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
Pr pakke*
15 - 135Kr. 12,499Kr. 187,49
150 - 360Kr. 10,774Kr. 161,61
375 +Kr. 9,337Kr. 140,06

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
195-2671
Producentens varenummer:
NVMFD6H840NLWFT1G
Brand:
onsemi
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

onsemi

Produkttype

Effekt MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

74A

Drain source spænding maks. Vds

80V

Emballagetype

DFN

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

8.8mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

3.1W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

32nC

Gennemgangsspænding Vf

0.8V

Min. driftstemperatur

175°C

Driftstemperatur maks.

-55°C

Transistorkonfiguration

Dobbelt

Højde

1.05mm

Standarder/godkendelser

No

Længde

6.1mm

Antal elementer per chip

2

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Bilstrøm MOSFET i et 3 x 3 mm fladt blyhus, der er beregnet til kompakte og effektive design og herunder høj termisk ydelse. Hæftbar flanke fås som ekstraudstyr til forbedret optisk inspektion. MOSFET- og PPAP-kapacitet er velegnet til brug i biler.

Lille format (5 x 6 mm)

Kompakt design

Lav RDS(on)

Minimere konduktive tab

Lav QG og kapacitet

Minimer drivertab

NVMFS5C410NLWF - Hæftbar flanke fås som ekstraudstyr

Forbedret optisk inspektion

PPAP-kapacitet

Anvendelse

Beskyttelse mod omvendt batteritilslutning

Switch-mode strømforsyninger

Strømkontakter (højside driver, lavside driver, H-broer osv.)

Relaterede links