STMicroelectronics Type N-Kanal, Effekt MOSFET, 203 A 40 V, 8 Ben, PowerFLAT, STL
- RS-varenummer:
- 330-245
- Producentens varenummer:
- STL220N4F8
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 6,13
(ekskl. moms)
Kr. 7,66
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 5.850 enhed(er) afsendes fra 23. juli 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 6,13 |
| 10 - 99 | Kr. 5,98 |
| 100 - 499 | Kr. 5,91 |
| 500 - 999 | Kr. 5,83 |
| 1000 + | Kr. 5,76 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 330-245
- Producentens varenummer:
- STL220N4F8
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 203A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Serie | STL | |
| Emballagetype | PowerFLAT | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.7mΩ | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 127W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 42.5nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Længde | 6mm | |
| Højde | 1mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 203A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Serie STL | ||
Emballagetype PowerFLAT | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.7mΩ | ||
Effektafsættelse maks. Pd 127W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 42.5nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Længde 6mm | ||
Højde 1mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
STMicroelectronics Power MOSFET er en 40 V N-kanal Power MOSFET i enhancement mode designet i Strip FET F8-teknologi med en forbedret trench gate-struktur. Det sikrer en state-of-the-art figure of merit for meget lav on-state modstand og reducerer samtidig interne kapacitanser og gate-ladning for hurtigere og mere effektiv switching.
MSL1 kvalitet
175°C maksimal driftsforbindelsestemperatur
100% lavine testet
Lav gate-ladning Qg
Relaterede links
- STMicroelectronics N-kanal-Kanal 268 A 60 V Forbedring PowerFLAT, STL
- STMicroelectronics N-kanal-Kanal 144 A 40 V Forbedring PowerFLAT, Stl
- STMicroelectronics Type N-Kanal 350 A 40 V PowerFLAT, STL
- STMicroelectronics Type N-Kanal 290 A 40 V PowerFLAT, STL AEC-Q101
- STMicroelectronics Type N-Kanal 154 A 40 V PowerFLAT, STL
- STMicroelectronics N-kanal Type N-Kanal 167 A 40 V Forbedring PowerFLAT, STL
- STMicroelectronics Type N-Kanal 304 A 40 V PowerFLAT, STL
- STMicroelectronics Type N-Kanal 158 A 100 V PowerFLAT, STL