STMicroelectronics N-kanal-Kanal, Effekt MOSFET, 144 A 40 V Forbedring, 8 Ben, PowerFLAT, Stl
- RS-varenummer:
- 719-478
- Producentens varenummer:
- STL140N4LF8
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 enhed)*
Kr. 4,94
(ekskl. moms)
Kr. 6,18
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 300 enhed(er) afsendes fra 18. maj 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 24 | Kr. 4,94 |
| 25 - 99 | Kr. 4,49 |
| 100 - 499 | Kr. 3,96 |
| 500 + | Kr. 3,14 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 719-478
- Producentens varenummer:
- STL140N4LF8
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | N-kanal | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 144A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Serie | Stl | |
| Emballagetype | PowerFLAT | |
| Monteringstype | Overflademontering | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 2.6mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 94W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 28nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.1V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 1mm | |
| Længde | 6.1mm | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype N-kanal | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 144A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Serie Stl | ||
Emballagetype PowerFLAT | ||
Monteringstype Overflademontering | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 2.6mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 94W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 28nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.1V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 1mm | ||
Længde 6.1mm | ||
STMicroelectronics 40 V N-kanal-forbedringstilstand Power MOSFET er designet i STripFET F8-teknologi med en forbedret trinch-gate-struktur. Det sikrer en state-of-the-art fortjeneste for meget lav modstand i tændt tilstand og samtidig reducerer den interne kapacitet og gate opladning for hurtigere og mere effektiv omskiftning.
MSL1 kvalitet
175 °C maksimal driftsforbindelsestemperatur
100% lavine testet
Lav gate-ladning Qg