STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 5 A 40 V Forbedring, 10 Ben, PowerSO-10RF, PD5

Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 enhed)*

Kr. 149,45

(ekskl. moms)

Kr. 186,81

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 600 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
1 - 9Kr. 149,45
10 - 99Kr. 118,41
100 - 599Kr. 116,84
600 +Kr. 115,49

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
330-273
Producentens varenummer:
PD55015TR-E
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

5A

Drain source spænding maks. Vds

40V

Serie

PD5

Emballagetype

PowerSO-10RF

Monteringstype

Overflade

Benantal

10

Drain source modstand maks. Rds

0.75Ω

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

73W

Min. driftstemperatur

65°C

Driftstemperatur maks.

165°C

Højde

3.6mm

Standarder/godkendelser

ECOPACK, JEDEC-approved, J-STD-020B, RoHS

Længde

15.65mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
MY
STMicroelectronics er common source N-kanal, enhancement-mode lateral felteffekt RF-effekttransistor. Den er designet til kommercielle og industrielle anvendelser med høj forstærkning og bredbånd. Den fungerer ved 12 V i common source-tilstand ved frekvenser på op til 1 GHz. PD55015-E kan prale af fremragende forstærkning, linearitet og pålidelighed takket være ST's nyeste LDMOS-teknologi monteret i den første ægte SMD-plastik RF-effektpakke, PowerSO-10RF.

Fremragende termisk stabilitet

Fælles kildekonfiguration

POUT 15 W med 14 dB forstærkning ved frekvensen 500 MHz eller 12,5 V

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.